[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 201310083762.8 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN103579146A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 高尾和人 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张伟;王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
相关申请的交叉引用
本申请基于并主张于2012年7月31日提交的在先日本专利申请No.2012-170279的优先权;通过引用将该日本专利申请的全部内容并入本文。
技术领域
本发明所描述的实施例大体涉及一种半导体装置。
背景技术
在用于大电流的半导体装置中,采用多个开关元件并联连接的配置。当双极型晶体管(例如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或类似物)被用作开关元件时,例如,利用焊料(solder)将集电极电极与电路板上的集电极电极图案相连接。还利用焊线(bonding wire)将栅极电极和发射极电极分别与电路板上的栅极电极图案和发射极电极图案相连接。
这种类型的连接关系对于进一步提高工作稳定性和可靠性来说是重要的。
附图说明
图1是示出了根据第一实施例的半导体装置的构造的电路图;
图2是示出了根据第二实施例的半导体装置的构造的电路图;
图3是示出了根据第三实施例的半导体装置的构造的电路图;
图4是示出了根据参考示例的半导体装置的构造的电路图;
图5是示出了集电极电流随时间的变化的图;
图6是示出了集电极电流随时间的变化的图;
图7是示出了第一布置的示意性平面图;
图8是示出了第二布置的示意性平面图;
图9是示出了第三布置的示意性平面图;以及
图10是示出了包括壳体的半导体装置的示意性透视图。
具体实施方式
通常,根据一种实施例,一种半导体装置包括:第一开关元件;第二开关元件;第一互连线路;第一电阻器;第二电阻器以及第二互连线路。第一开关元件包括第一控制端子、第一电极端子以及第一导体端子。第二开关元件包括第二控制端子、第二电极端子以及第二导体端子。第一互连线路包括第一端子间互连线路、第二端子间互连线路、第三端子间互连线路和第四端子间互连线路,所述第一端子间互连包括第一电感,所述第一端子间互连的第一端与第一控制端子相连,第二端子间互连线路包括与第一电感不同的第二电感,所述第二端子间互连线路的第一端与第二控制端子相连,所述第二端子间互连线路的第二端与第一端子间互连线路的第二端相连,第三端子间互连线路包括第三电感,所述第三端子间互连线路的第一端与第一电极端子相连,第四端子间互连线路包括与第三电感不同的第四电感,所述第四电感,所述第四端子间互连线路的第一端与第二电极端子相连,所述第四端子间互连线路的第二端与第三端子间互连线路的第二端相连。第一电阻器的第一端与第一控制端子相连。第二电阻器的第一端与第二控制端子相连,第二电阻器的第二端与第一电阻器的第二端相连。第二互连线路被设置在第一电极端子和第二电极端子之间和/或被设置在第一控制端子和第二控制端子之间。
现将参照附图对本发明的各实施例进行描述。
注意,各附图是示意性或简化的图示,各部件的厚度和宽度之间的关系以及各部件之间的尺寸上的比例可能与实际部件不同。另外,即使在描述相同的部件的情况下,取决于附图,可能不同地示出相互的尺寸和比例。
注意,在本申请的附图和说明书中,将相同的数字应用于已经在附图中出现过并且已经被描述过的组成物,并省略了对这样的组成物的重复的详细描述。
(第一实施例)
图1是示出了根据第一实施例的半导体装置的构造的电路图。
根据第一实施例的半导体装置110包括第一开关元件Tr1、第二开关元件Tr2、第一互连线路10、第二互连线路20、第一电阻器R1以及第二电阻器R2。半导体装置110例如是所谓的功率半导体模块。
在第一开关元件Tr1和第二开关元件Tr2中使用例如IGBT。在第一开关元件Tr1和第二开关元件Tr2中可以使用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)来替代IGBT。在该实施例中,针对将IGBT用作第一开关元件Tr1和第二开关元件Tr2的情况来描述了示例。
第一开关元件Tr1包括栅极g1(第一控制端子)、发射极e1(第一电极端子)以及集电极c1(第一导体端子)。
第二开关元件Tr2包括栅极g2(第二控制端子)、发射极e2(第二电极端子)以及集电极c2(第二导体端子)。
第一开关元件Tr1可被配置为包括多个并联连接的IGBT的芯片。同样地,第二开关元件Tr2可被配置为包括多个并联连接的IGBT的芯片。
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