[发明专利]基板、半导体结构以及其相关制造方法在审

专利信息
申请号: 201310084412.3 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN103915392A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 黄田昊;李信贤;吴奕均;吴上义 申请(专利权)人: 联京光电股份有限公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L33/48
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 史霞
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 基板 半导体 结构 及其 相关 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种基板,其特征在于,包括:

一晶粒承载区,用于承载一晶粒;以及

一黏胶导流图案,设置于该晶粒承载区,其中该晶粒是设置在该黏胶导流图案的上方;

一黏胶,设置于该晶粒承载区,用以固定该晶粒于该基板上,该黏胶是附着于该晶粒的底面与该黏胶导流图案间。

2.如权利要求1所述的基板,其特征在于,该晶粒为一发光二极管。

3.如权利要求1或2所述的基板,其特征在于,该黏胶导流图案为一凹糟。

4.如权利要求1或2所述的基板,其特征在于,该黏胶导流图案为一岛状突起。

5.如权利要求1或2所述的基板,其特征在于,该晶粒的底面为一方形,该黏胶导流图案具有一特定图案,该特定图案为一X形,该X形的一触角接近于该方形的一角落。

6.如权利要求1或2所述的基板,其特征在于,该黏胶导流图案具有一环状凹槽与一中央区块,该环状凹槽环绕着该中央区块,该黏胶是附着于该晶粒的底面与该中央区块间。

7.如权利要求1或2所述的基板,其特征在于,该晶粒的底面之面积大于该黏胶导流图案与该晶粒接触的面积。

8.一种半导体结构,其特征在于,包括:

如权利要求1、2、3、4、5、6、7中任一项所述的该基板;

一发光二极管,设置于该基板的该晶粒承载区;以及

一透明胶体,设置于该基板的该晶粒承载区,用来覆盖该发光二极管以导引该发光二极管所发出的光线。

9.一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包括:

(a)提供一基板;

(b)于该基板设置一晶粒承载区,用于承载一晶粒;

(c)于该晶粒承载区设置一黏胶导流图案;

(d)于该晶粒承载区设置一黏胶;以及

(e)将该晶粒放置于该基板之晶粒承载区上方,并对该晶粒施压以使该晶粒通过该黏胶附着于该基板;

其中,于(e)步骤中,当对该晶粒施压时,该黏胶顺着该黏胶导流图案分布于该晶粒之背面,而不会流至该晶粒之侧边。

10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,该晶粒为一发光二极管。

11.如权利要求10所述的制造方法,其特征在于,更包括以下的步骤:

(f)提供一透明胶体,覆盖该发光二极管以导引该发光二极管的光线。

12.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,该黏胶导流图案与该基板是一体成型。

13.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,该图形化黏胶导流图案是以蚀刻方式或曝光显影方式而形成。

14.如权利要求12或13所述的制造方法,其特征在于,该晶粒的底面是呈一方形,该图形化黏胶导流图案为一X形,该X形的一触角接近于该方形的一角落。

15.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,该晶粒的底面之面积大于该图形化黏胶导流图案与该晶粒接触的面积。

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