[发明专利]基板、半导体结构以及其相关制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种用来承载晶粒的基板，更明确地说，是有关于一种具有黏胶导流图案的基板，以容置、导流黏胶并通过黏胶黏着晶粒。

背景技术

请参考图1，图1说明先前技术的半导体结构的制作流程图。半导体结构100包括一晶粒110以及一基板120。晶粒110与基板120的结合需要通过黏胶g。也就是说，晶粒110需要借由黏胶g来附着于基板120上。更明确地说，基板120会先涂上一层黏胶9，然后将晶粒110置于该黏胶9上并施压，如此以将晶粒110固定于该基板120上以形成半导体结构100。由于黏胶g为液体状，因此当黏胶g受到晶粒110与基板120的压迫时，黏胶g会沿着基板120从中央往外侧延展。然而，如此一来便会产生两种情况:

1.如图1右上方所示，当黏胶g的量太少时，由于黏胶g在经施压后延展为圆形而晶粒110为方形，因此晶粒110的角落便无法与黏胶g接触而降低晶粒110附着于基板120的稳定度;

2.如图1右下方所示，当黏胶g的量太多时，虽然晶粒110的角落可以与黏胶g接触，但是多余的黏胶g会在经过施压后溢出至晶粒110的周围，而造成光线的阻碍。举例来说，若晶粒110是属于正面与侧面皆会发光的发光二极管，则发光二极管从侧面所发出的光便会被黏胶g遮蔽住，而降低发光二极管的光利用率。

也就是说，由于黏胶g的量无法很准确地设定，意即容易过多或过少，如此便可能发生晶粒110无法有效附着于基板120上或在晶粒110的侧面形成黏胶g，而造成制造者的困扰。

发明内容

本友明提供一种基板，该基板包括一晶粒承载区及一黏胶导流图案，该晶粒承载区用于承载一晶粒，而黏胶导流图案是设置于晶粒承载区，黏胶导流图案具有将多余黏胶导流之作用，避免黏胶溢流到晶粒的侧边。其中该晶粒是设置在该图形化黏胶导流图案的上方，该晶粒的一底面的面积是大于该图形化黏胶导流图案与该晶粒接触的面积，且该晶粒是借由黏胶而附着于基板上。

本发明另提供一种半导体结构，该半导体结构包括如上述的基板、一发光二极管、及一透明胶体。晶粒设置于基板的晶粒承载区，且晶粒例如为发光二极管。其中，透明胶体是设置于基板的晶粒承载区，用来覆盖发光二极管以导引发光二极管所发出的光线。

本发明另提供一种半导体结构的制造方法，制造方法包括以下步骤:

(a)提供一基板;

(b)于基板设置一晶粒承载区，用于承载一晶粒;

(c)于晶粒承载区设置一黏胶导流图案;

(d)于该晶粒承载区设置一黏胶;以及

(e)将晶粒放置于该基板之晶粒承载区上方，并对晶粒施压以使晶粒通过黏胶附着于基板;

其中，于(e)步骤中，当对该晶粒施压时，该黏胶顺着该黏胶导流图案之导流与容置空间分布于该晶粒之背面。

为让本发明的上述目的、特征和优点更能明显易懂，下文将以实施例并配合所附图示，作详细说明如下。

附图说明

图1说明先前技术的半导休结构的制作流程图。

图2说明本发明的一实施例的半导休结构的制作流程图。

图3说明本发明的一实施例的基板的示意图。

图4说明本发明的一实施例的晶粒承载区的示意图。

图5说明本发明的一第一实施例的黏胶导流图案的示意图。

图6说明本发明的一实施例将黏胶注入黏胶导流图案的示意图。

图7说明本发明的一实施例将晶粒设置在黏胶导流图案上的示意图。

图8说明本发明的一实施例在基板上设置透明胶体的示意图。

图9A、图9B说明本发明的一第二实施例之黏胶导流图案的示意图。

图10说明本发明的一第三实施例之黏胶导流图案的示意图。

具体实施方式

请参考图2，图2说明本发明的一实施例的半导体结构的制作方法的流程图，该制作方法的步骤说明如下:

步骤S1:提供一基板;

步骤S2:于该基板设置一晶粒承载区，并根据该晶粒承载区设置一黏胶导流图案;

步骤S3:在该晶粒承载区置入黏胶;

步骤S4:将晶粒置放于该晶粒承载区置上;

步骤S5:对晶粒施压以使晶粒通过黏胶附着于基板;

步骤S6:将晶粒与基板上的线路层电性连接。

其中，在步骤S5中，当对晶粒施压时，该黏胶顺着黏胶导流图案分布于晶粒之背面，而不会流至该晶粒之侧边。