[发明专利]一种锗基肖特基结的制备方法无效
| 申请号： | 201310084986.0 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103151254A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 黄如;林猛;李志强;安霞;黎明;云全新;李敏;刘朋强;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 锗基肖特基结 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种锗基肖特基结的制备方法，其特征是，对N型锗基衬底进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO2，再淀积一层金属。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述CeO2通过ALD、PLD、MBE或CVD方法淀积。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征是，淀积CeO2的厚度为0.3～2nm。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征是，淀积的金属是Al，Pt，Au，Ti，Ni，TiN，TaN，W。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征是，淀积金属后进行光刻、刻蚀、退火。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述N型锗基衬底为体Ge衬底、GOI衬底或任何表面含有Ge外延层的衬底。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述N型锗基衬底为含锗的化合物半导体衬底。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征是，所述的含锗的化合物为SiGe，GeSn。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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