[发明专利]图形衬底、LED芯片及LED芯片制备方法无效
| 申请号： | 201310084999.8 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103236481A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 康学军;李鹏;祝进田;张冀 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 曾旻辉 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区罗村街道朗沙村委*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 衬底 led 芯片 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种图形衬底，其特征在于，所述图形衬底上设有至少一个图形区域、非图形区域和切割区域，每一个所述图形区域内设有多个图形单元，每一个所述图形区域的形状与需要制备的LED芯片的形状相匹配，切割区域包含于所述非图形区域内。
2.根据权利要求1图形衬底，其特征在于，每一个所述图形区域分布面积不大于所述LED芯片的面积。
3.根据权利要求1或2所述的图形衬底，其特征在于，所述非图形区域的宽度不小于所述切割区域的宽度。
4.根据权利要求1所述的图形衬底，其特征在于，所述图形衬底上设有多个图形区域，所述非图形区域设于相邻两个所述图形区域之间。
5.根据权利要求1所述的图形衬底，其特征在于，所述图形区域的形状为与所述LED芯片形状相匹配的方形、矩形或圆形。
6.根据权利要求1所述的图形衬底，其特征在于，所述图形衬底的材质为蓝宝石、氮化镓、碳化硅、或者硅。
7.一种LED芯片，其特征在于，其包括有如权利要求1至6任意一项所述的图形衬底。
8.一种LED芯片制备方法，其特征在于，应用如权利要求1至6任意一项所述的图形衬底做为介质对LED芯片结构进行图形化。
9.根据权利要求8所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法制备的图形化LED芯片，不包括所述图形衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310084999.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：公路及桥隧工程测控信息化系统
- 下一篇：智能电主轴伺服驱动控制系统
