[发明专利]PZT系铁电薄膜的制造方法和PZT系铁电薄膜

权利要求书

1.一种PZT系铁电薄膜的制造方法，在具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的所述下部电极上，涂布PZT系铁电薄膜形成用组合物并进行临时烧结之后，烧成而结晶化来在所述下部电极上制造所述PZT系铁电薄膜，该方法的特征在于，

所述临时烧结是使用红外线来进行的，且至少包括：第1保持阶段，从0℃～150℃的温度范围内的温度或者从室温升温而保持在200℃～350℃的温度范围内的温度；和第2保持阶段，从所述第1保持阶段的保持温度升温而保持在比所述第1保持阶段的保持温度更高的350℃～500℃的温度范围内的温度。

2.如权利要求1所述的PZT系铁电薄膜的制造方法，其中，

到达所述第1保持阶段的第1升温速度在1℃/秒～10℃/秒的范围内，从所述第1保持阶段升温而到达所述第2保持阶段的第2升温速度在1℃/秒～100℃/秒的范围内。

3.如权利要求1或2所述的PZT系铁电薄膜的制造方法，其中，

所述烧成的保持温度在450℃～800℃的温度范围内，到达所述保持温度的升温速度在2.5℃/秒～150℃/秒的范围内。

4.一种PZT系铁电薄膜，以权利要求1至3中任一项所述的方法制造的所述铁电薄膜的膜厚在150nm～400nm的范围内。

5.一种具有权利要求4所述的PZT系铁电薄膜的薄膜电容器、电容器、集成无源器件、DRAM存储器用电容器、层叠电容器、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热释电型红外线检测元件、压电元件、电光元件、执行器、谐振器、超声波马达或LC噪声滤波器元件的复合电子组件。