[发明专利]一种改良栅结构的晶体管

权利要求书

1.一种改良栅结构的晶体管，包括基底（1）和处在基底（1）上的介质层（3），所述介质层（3）上设有一源区（5）、一漏区（6）以及连通在所述源区（5）和漏区（6）之间的沟道区（7），其特征在于，所述沟道区（7）内设有第一顶栅（4a）作为晶体管的输出极，其输出的逻辑值在沟道区导通时为逻辑1，在沟道区截断时为逻辑0；

所述晶体管还设有至少两个控制沟道区（7）的输入极；

其中至少有一个输入极为第二顶栅（4b）；

还有至少有一个输入极为第三顶栅（4c）和/或底栅；

所述第二顶栅和第三顶栅均位于所述介质层（3）上，且处在所述沟道区（7）的旁边。

2.如权利要求1所述的改良栅结构的晶体管，其特征在于，所述底栅（2）处在基底（1）和介质层（3）之间或由所述基底（1）兼做。

3.如权利要求2所述的改良栅结构的晶体管，其特征在于，所述底栅（2）处在基底（1）和介质层（3）之间，所述底栅（2）分布在基底（1）上的局部区域，基底（1）上开设有与底栅（2）位置相应的容置槽，所述底栅（2）的面积至少能够与处在沟道区（7）旁边的顶栅形成耦合，以控制所述沟道区（7）。

4.如权利要求1或2或3所述的改良栅结构的晶体管，其特征在于，所述顶栅为两个，分别为第一顶栅（4a）和第二顶栅（4b），其中第一顶栅（4a）处在所述沟道区（7）内，且与源区（5）和漏区（6）三者排列形成第一直线，第二顶栅（4b）位于所述第一直线的一侧。

5.如权利要求1或2或3所述的改良栅结构的晶体管，其特征在于，所述顶栅为两个，分别为第一顶栅（4a）和第二顶栅（4b），其中第一顶栅（4a）处在所述沟道区（7）内，且与源区（5）和漏区（6）三者排列成第一直线，第二顶栅（4b）位于所述第一直线上。

6.如权利要求1或2或3所述的改良栅结构的晶体管，其特征在于，所述顶栅为三个，分别为第一顶栅（4a）、第二顶栅（4b）和第三顶栅（4c），其中第一顶栅（4a）处在所述沟道区（7）内，且与源区（5）和漏区（6）三者排列成第一直线，第二顶栅（4b）和第三顶栅（4c）分别位于所述第一直线的两侧，或位于所述第一直线的同侧。

7.如权利要求6所述的改良栅结构的晶体管，其特征在于，所述第二顶栅（4b）和第三顶栅（4c）排列成第二直线，且第二直线与第一直线垂直。

8.如权利要求1或2或3所述的改良栅结构的晶体管，其特征在于，所述顶栅为三个，分别为第一顶栅（4a）、第二顶栅（4b）和第三顶栅（4c），其中第一顶栅（4a）处在所述沟道区（7）内，且与源区（5）和漏区（6）三者排列成第一直线，所述第二顶栅（4b）和第三顶栅（4c）排列成第二直线，且第二直线与第一直线重合或平行。

9.如权利要求1所述的改良栅结构的晶体管，其特征在于，输入极不包含有底栅，所述顶栅为四个，分别为第一顶栅（4a）、第二顶栅（4b）、第三顶栅（4c）和第四顶栅，其中第二顶栅（4b）、第三顶栅（4c）和第四顶栅均作为输入极。

10.如权利要求1所述的改良栅结构的晶体管，其特征在于，所述基板与介质层之间设有导电层。