[发明专利]一种低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 201310087656.7 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN103121842A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 唐晓莉;章著;苏桦;张怀武;荆玉兰;李元勋 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰;杨保刚 |
地址: | 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低介低 损耗 ltcc 微波 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种低介低损耗LTCC微波陶瓷材料,其特征在于:包含两相的复合陶瓷材料,其中主晶相为四方相白钨矿CaWO4,辅助相为三方晶系硅铍石结构Li2WO4,其配方分子式为(1-x)CaWO4-xLi2WO4。
2.根据权利要求1所述的一种低介低损耗LTCC微波陶瓷材料,其特征在于:配方分子式为(1-x)CaWO4-xLi2WO4中x的取值范围为0.08~0.12。
3.一种低介低损耗LTCC微波陶瓷材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一:以CaCO3,WO3,Li2CO3为初始原料,按照(1-x)CaWO4-xLi2WO4配方分子式中各元素的摩尔比例折算出CaCO3,WO3和Li2CO3的质量百分比,进行称料、一次球磨、混料均匀后烘干;
步骤二:将步骤一所得的烘干料过筛后放入坩埚中压实,按2℃/分的升温速率升至850~950℃进行预烧,保温2~3小时,随炉冷却得到预烧料;
步骤三:将步骤二所得的块状预烧料从坩埚中取出放入研钵中先粗略磨细,然后在球磨机中进行二次球磨;
步骤四:将步骤三所得到的二次球磨料烘干后,加入质量分数为10%~20%的PVA溶液进行造粒并干压成型为圆柱;
步骤五:将步骤四所得的样品放入烧结炉中,按1~2℃/分的升温速率缓慢升至600℃并保温2小时,以排除生坯中的水分和胶水,然后再按2℃~5℃/分的升温速率升温至850℃~950℃进行烧结,保温2~3小时,再按2℃~5℃/分的降温速率降温至600℃,随后随炉冷却得到低介低损耗微波陶瓷材料。
4.根据权利要求3中所述的一种低介低损耗LTCC微波陶瓷材料的制备方法,其特征在于:所述配方分子式为(1-x)CaWO4-xLi2WO4中x的取值范围为0.08~0.12。
5.根据权利要求3中所述的一种低介低损耗LTCC微波陶瓷材料的制备方法,其特征在于:所述PVA溶液的浓度为10%。
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