[发明专利]TFT阵列基板、TFT阵列基板的制作方法及显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：

在基板上形成栅线和栅电极，并在所述栅线和所述栅电极上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上方依次沉积半导体层和金属层，采用一次构图工艺形成位于所述栅电极上方的有源层、源极和漏极，以及位于所述栅线上方的残余半导体层和覆盖所述残余半导体层的信号线；

对所述信号线、位于信号线下方的残余半导体层以及栅绝缘层进行构图工艺，形成过孔，使所述栅线表面、所述信号线的侧断面和所述位于信号线下方的残余半导体层的侧断面暴露；

在所述过孔位置处形成搭接导电层，使所述信号线与所述栅线电性连接。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述过孔的过程包括：

形成所述有源层、源极和漏极的同时，暴露所述信号线的侧断面和所述位于信号线下方的残余半导体层的侧断面，并暴露栅绝缘层表面；

对暴露表面位置处的栅绝缘层进行构图工艺，暴露所述栅线表面，形成过孔。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述形成所述搭接导电层的过程包括：

在所述过孔内以及所述信号线的上方沉积导电薄膜，形成电性连接所述信号线与所述栅线的搭接导电层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述搭接导电层的过程具体包括：

沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极和所述搭接导电层，所述像素电极与所述漏极连接，所述搭接导电层电性连接所述信号线与所述栅线。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述像素电极和所述搭接导电层之后，该方法还包括：

沉积钝化层薄膜，通过构图工艺形成钝化层过孔，所述钝化层过孔位于所述信号线对应位置处，且底面暴露出所述信号线的表面。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述钝化层过孔后，该方法还包括：

在所述钝化层之上形成公共电极，所述公共电极与所述信号线通过所述钝化层过孔电性连接。

7.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

形成在基板上的栅线和栅电极；

覆盖所述栅线和所述栅电极的栅绝缘层；

形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅电极上方的有源层、源极和漏极；

形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅线上方的残余半导体层，以及覆盖所述残余半导体层的信号线；

形成在所述信号线和残余半导体层上的过孔，所述过孔的侧壁使所述栅绝缘层、信号线和所述残余半导体层的侧断面暴露，所述过孔的底面使所述栅线表面暴露；

所述过孔内形成有使所述信号线与所述栅线电性连接的搭接导电层。

8.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述过孔包括：

暴露所述信号线和所述残余半导体层的侧断面，并暴露栅绝缘层表面的容置空间；和

由所述栅绝缘层通过过孔工艺形成，并暴露所述栅线表面的栅过孔。

9.如权利要求7或8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述搭接导电层为部分位于所述过孔内以及部分位于所述信号线上方的导电薄膜。

10.如权利要求9所述的TFT阵列基板，其特征在于，该TFT阵列基板还包括与漏极相连的像素电极，且所述搭接导电层与所述像素电极位于同一层。

11.如权利要求10所述的TFT阵列基板，其特征在于，该TFT阵列基板还包括：

钝化层；

所述钝化层上对应所述信号线的位置处，具有底面暴露出所述信号线表面的钝化层过孔；以及

通过所述钝化层过孔与所述信号线电性连接的公共电极。

12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7-11任一项所述的TFT阵列基板。