[发明专利]DRAM自刷新方法无效
申请号: | 201310088727.5 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN103187091A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 亚历山大 | 申请(专利权)人: | 西安华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 杨引雪 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dram 刷新 方法 | ||
1.一种DRAM自刷新方法,其特征在于,包括以下步骤:
1]对存储单元中的字线进行激活;
2]读出激活的字线上的数据和监督位,并通过解码判断字线上的数据和监督位是否存在错误,若不存在错误,则进行下个字线的激活,若存在错误,则进行错误纠正,并将纠正后的正确数据写回存储单元中,然后进行下个字线的激活。
2.根据权利要求1所述的DRAM自刷新方法,其特征在于:若存储单元中的字线上存在数据屏蔽信息位,则步骤1完成后进行步骤3,3]根据信息位判断是否存在数据屏蔽,若不存在数据屏蔽,则进入步骤2处理;若存在数据屏蔽,则不进行读写操作,不改写当前状态,直接进入下个字线的激活,且DM的信息位存储的值不改变。
3.根据权利要求1所述的DRAM自刷新方法,其特征在于:若存储单元中的字线上存在数据屏蔽信息位,则步骤1完成后进行步骤3,3]根据信息位判断是否存在数据屏蔽,若不存在数据屏蔽,则进入步骤2处理;若存在数据屏蔽,先读出字线上的数据,然后对数据进行编码操作生成新的监督位,且DM的信息位存储的值要做相应的改变,再将新的监督位写回存储单元中,再进行下个字线的激活。
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