[发明专利]DRAM自刷新方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种DRAM自刷新方法，该方法主要用于在DRAM自刷新时消除历史噪声的影响并实现纠错的功能。

背景技术

DRAM中单个存储单元（the single cell）出错不是因为长的刷新(refresh)时间，更多的是由于在长时间工作下，工作模型或历史噪声产生的拓扑导致的错误，因此，历史噪声（从某方面来说，比如相邻单元的拓扑等）非常严重的。

在DRAM自刷新(SRF)的时候，每次一根字线(word line)被激活并保持一定时间的激活状态。在传统的方法里，自刷新的时候只会刷新存储单元存储的数据，不进行读写操作，从而导致无法用ECC判断存储的数据是否正确(如果要用ECC进行判断，需要读写操作)，也无法进行纠正。

发明内容

本发明提供一种DRAM自刷新方法，主要解决了现有DRAM在进行自刷新时，仅刷新存储单元存储数据而不进行读写操作从而导致了历史噪声对单元的影响以及DM对ECC的限制的问题。

本发明的具体技术解决方案如下：

该DRAM自刷新方法包括以下步骤：

1]对存储单元中的字线进行激活；

2]读出激活的字线上的数据和监督位，并通过解码判断字线上的数据和监督位是否存在错误，若不存在错误，则进行下个字线的激活，若存在错误，则进行错误纠正，并将纠正后的正确数据写回存储单元中，然后进行下个字线的激活。

若存储单元中的字线上存在数据屏蔽信息位，则步骤1完成后进行步骤3，3]根据信息位判断是否存在数据屏蔽，若不存在数据屏蔽，则进入步骤2处理；若存在数据屏蔽，则不进行读写操作，不改写当前状态，直接进入下个字线的激活，或先读出字线上的数据，然后对数据进行编码操作生成新的监督位，再将新的监督位写回存储单元中，然后进行下个字线的激活；若直接进入下个字线的激活，DM的信息位存储的值不改变；若写入新的监督位，DM的信息位存储的值要做相应的改变。

本发明的优点在于：

本发明提供的DRAM自刷新方法可在字线被激活的时间里同时进行读写操作，进行读写操作的次数取决于字线的激活时间和工作频率。

该DRAM自刷新方法通过在自刷新的过程中在字线激活时进行读写操作去消除历史噪声的影响；若在进行读写操作时刷新了监督位，还能解决由于DM不能进行检测和纠正数据的问题。

附图说明

图1为本发明实施例的流程图。

具体实施方式

本发明所依据的原理是：首先读出数据和监督位，然后通过解码过程判断是否有错：如果没错，继续下个读操作；如果有错，把错误纠正并写回存储单元，然后继续下个读操作。

对于DM，可先用DM信息位判断是否有DM：如果没有，执行以上的操作；如果有，把数据读出，然后把这些数据进行编码操作产生新的监督位后再把新的监督位写回存储单元。当然，如果想提高效率，也可在判断DM信息位后：如果没有，执行以上操作；如果有，不执行读写操作，不改写当前状态，直接进入下个读操作。可根据是要正确率还是刷新速度选取是否执行ECC的编码并回写操作，要注意是否需要改写DM信息位存储的值。

以下结合实施例及附图对本发明进行详述：

以1G DDR3为例，若只进行自刷新不读写，需要激活8k个字线，全部刷新完需要64ms（毫秒）。若在自刷新时进行读写操作，对于一个字线，有128个列选信号需要读写，假定每次字线激活的时间内平均可进行4次读写操作，那新的带读写操作的自刷新时间将变为64ms*128/4=64ms*32=2048ms。若不需要纠正和回写数据以及重写监督位，每次字线激活时间内能进行更多的读操作。

图1为相应的流程图，其中WL是字线，CSL是列选信号。每列对应一次传统的自刷新循环，遍历8k个字线；总的对应一次新的带读写操作的自刷新循环，包含了对所有单元的额外读写操作。

此方法在不影响传统的刷新方式（只要字线激活一定时间就相当于对字线下对应的所有单元进行刷新）的基础上，通过增加额外的读写操作，即消除了历史噪声对单元的影响，又改善了DM对ECC的限制。