[发明专利]一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法

权利要求书

1.一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，其特征在于，所述电子束曝光图形化方法至少包括以下步骤：

1）提供一绝缘衬底；

2）在所述绝缘衬底上旋涂电子束光刻胶；

3）在所述电子束光刻胶上表面形成金属薄膜；

4）采用电子束系统进行曝光将所设计的图形转移至电子束光刻胶上；

5）在得到的光刻图形上沉积金属层，形成金属电极；

6）剥离，去除光刻胶，及多余的金属后得到所需金属图形。

2.根据权利要求1所述的绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，其特征在于：所述步骤1）中的绝缘衬底厚度为10μm以上。

3.根据权利要求1所述的绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，其特征在于：所述绝缘衬底的材料为SiO₂、Al₂O₃或MgO中的一种。

4.根据权利要求1所述的绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，其特征在于：所述步骤2）中的具体步骤如下：首先，在所述绝缘衬底上旋涂小分子量的电子束光刻胶；接着再旋涂大分子量的电子束光刻胶。

5.根据权利要求1所述的绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，其特征在于：所述步骤3）中形成的金属薄膜厚度不超过15nm。

6.根据权利要求4、5所述的绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，其特征在于：所述金属薄膜的材料为Au。

7.根据权利要求1所述的绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，其特征在于：所述步骤3）中的金属薄膜厚度为15nm以内的不连续薄膜或连续薄膜。

8.根据权利要求7所述的绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，其特征在于：所述步骤3）中的金属薄膜为连续薄膜时，所述步骤4）中还包括超声振动的步骤。

9.根据权利要求1所述的绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，其特征在于：所述步骤1）还包括将该绝缘衬底清洗并烘干的步骤。

10.根据权利要求1所述的绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，其特征在于：所述步骤3）和步骤4）之间还包括旋涂另一光刻胶层的步骤，所述另一光刻胶层为大分子量的电子束光刻胶；所述步骤2）中的光刻胶层为小分子量的电子束光刻胶。