[发明专利]一种标准逻辑工艺兼容的差分架构NVM存储器单元

权利要求书

1.一种标准逻辑工艺兼容的差分架构NVM存储器单元，其特征在于：由两个单一NVM存储单元连接辅以偏置的电源和输入输出电路组成，所述单一NVM存储单元为浮栅型架构，包括在浮栅上的充当选通以及偏置作用的选择晶体管、编程晶体管和以电容接法与编程晶体管栅极共享的控制晶体管。

2.根据权利要求1所述的标准逻辑工艺兼容的差分架构NVM存储器单元，其特征在于：选择晶体管为MOS管M1和MOS管M4，其栅极接字线选通电压Vbias&sel，其源极接恒定电流源模块，其漏极分别接MOS管M2和MOS管M5，其衬底直接与其源极相连，选通电压采用高压；

编程晶体管为MOS管M2和MOS管M5，其栅极分别与MOS管M3和MOS管M6的栅极相连共享浮栅，其源极接MOS管M1和MOS管M4的漏极，其漏极接输出差分放大模块，其衬底直接与其源极相连，浮栅与电容接法的MOS管M3和MOS管M6分别相连；

控制晶体管为MOS管M3和MOS管M6；

MOS管M0的栅极接差分选择电压Diff_sel，其源极漏极分别与MOS管M2和MOS管M5的源极相连，其衬底与其源极相连。

3.根据权利要求2所述的标准逻辑工艺兼容的差分架构NVM存储器单元，其特征在于：浮栅上多添加了两个相同的小电容MOS管M7和MOS管M8，并且把节点Vg1和Cg2连接，把Vg2和Cg1连接，MOS管M7和MOS管M3接法完全一致，MOS管M8与MOS管M7接法完全一致。

4.根据权利要求3所述的标准逻辑工艺兼容的差分架构NVM存储器单元，其特征在于：浮栅上多添加了两个相同MOS管，其接法与作用与MOS管M2和MOS管M5一样。