[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201310093077.3 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN103378025A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 村田大辅;菊池正雄 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/42 | 分类号: | H01L23/42;H01L23/495 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1. 一种半导体装置,其特征在于,具备:
第1散热器;
第2散热器,其与所述第1散热器离开而配置;
第1半导体元件,其安装在所述第1散热器上,下表面与所述第1散热器接合;
第2半导体元件,其安装在所述第2散热器上,下表面与所述第2散热器接合;
树脂,其覆盖所述第1及第2散热器、以及所述第1及第2半导体元件;以及
增强部件,其在所述树脂内横穿所述第1散热器和所述第2散热器之间的区域而设置,具有比所述树脂高的刚性。
2. 如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述增强部件不与所述第1及第2半导体元件相接,与所述第1及第2半导体元件相比设置在上方。
3. 如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
还具备绝缘层,其设置在所述第1及第2散热器的下表面,
其中,所述增强部件设置在所述绝缘层之下,是比所述绝缘层厚的金属层。
4. 一种半导体装置,其特征在于,具备:
第1散热器;
第2散热器,其与所述第1散热器离开而配置;
第1半导体元件,其安装在所述第1散热器上,下表面与所述第1散热器接合;
第2半导体元件,其安装在所述第2散热器上,下表面与所述第2散热器接合;以及
树脂,其覆盖所述第1及第2散热器、以及所述第1及第2半导体元件,
其中,所述第1散热器具有与所述第2散热器对置的凹部,
所述第2散热器具有进入所述凹部的延伸设置部。
5. 如权利要求1~4的任一项所述的半导体装置,其特征在于,
还具备布线部件,其连接所述第1半导体元件的上表面和所述第2散热器,具有凹陷。
6. 如权利要求1~4的任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述第1半导体元件具有多个半导体元件,
所述多个半导体元件的下表面共同地与1个所述第1散热器接合。
7. 如权利要求1~4的任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述第1及第2散热器、以及所述第1及第2半导体元件构成3相半桥式电路。
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