[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201310093077.3 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN103378025A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 村田大辅;菊池正雄 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/42 | 分类号: | H01L23/42;H01L23/495 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
技术领域
本发明涉及用于控制汽车或电车等的电机的逆变器、发电/再生用转换器等的半导体装置。
背景技术
在散热器上安装半导体元件、并用树脂密封散热器及半导体元件的半导体装置得到使用(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]日本特开2004-165281号公报。
在互相离开的2个散热器上分别安装有半导体元件的半导体装置中,在2个散热器之间的区域存在树脂。由于树脂和散热器的线膨胀系数不同,如果使用时产生热而发生温度变化,则产生热应力。因此,冷热循环被过量地施加的情况下,从2个散热器之间的区域产生翘曲。进一步,有如下问题,即剥离在树脂和散热器或引线框等的内置部件之间进行,对可靠性造成影响。
发明内容
本发明为解决如上述那样的课题而作出,其目的是获得能够抑制热应力导致的翘曲、提高可靠性的半导体装置。
本发明的半导体装置,其特征在于,具备:第1散热器;第2散热器,其与所述第1散热器离开而配置;第1半导体元件,其安装在所述第1散热器上,下表面与所述第1散热器接合;第2半导体元件,其安装在所述第2散热器上,下表面与所述第2散热器接合;树脂,其覆盖所述第1及第2散热器、以及所述第1及第2半导体元件;增强部件,其在所述树脂内横穿所述第1散热器和所述第2散热器之间的区域而设置,具有比所述树脂高的刚性。
根据本发明,能够抑制热应力导致的翘曲,提高可靠性。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1的半导体装置的电路图;
图2是示出本发明的实施方式1的半导体装置的内部的透视俯视图;
图3是示出本发明的实施方式1的半导体装置的内部(省略增强部件)的透视俯视图;
图4是沿图2的I-II的截面图;
图5是沿图3的III-IV的截面图;
图6是示出本发明的实施方式1的半导体装置的变形例的内部(省略增强部件)的透视俯视图;
图7是示出本发明的实施方式2的半导体装置的截面图;
图8是示出本发明的实施方式3的半导体装置的内部的透视俯视图。
具体实施方式
关于本发明的实施方式的半导体装置,参照附图进行说明。存在对相同或对应的构成要件附上相同标号,省略反复说明的情况。
实施方式1
图1是示出本发明的实施方式1的半导体装置的电路图。晶体管元件1a~1f和二极管2a~2f的6对构成3相半桥式电路。来自电源的电力经由U、V、W端子供给负载。晶体管元件1a~1f是将由电源供给的电流仅在需要的时间导通的绝缘栅型双极晶体管(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)。在晶体管元件1a~1f从导通状态成为截止状态时,二极管2a~2f使电流回流。
图2是示出本发明的实施方式1的半导体装置的内部的透视俯视图。图3是示出本发明的实施方式1的半导体装置的内部(省略增强部件)的透视俯视图。图4是沿图2的I-II的截面图。
散热器3a~3c和散热器3d~3f左右离开而配置。散热器3a~3f互相分离。晶体管元件1a~1c及二极管2a~2c分别安装在散热器3a~3c上,它们的下表面用焊料4个别地与散热器3a~3c接合。晶体管元件1d~1f及二极管2d~2f分别安装在散热器3d~3f上,它们的下表面分别用焊料4个别地与散热器3d~3f接合。
互相分离的布线部件5a~5c分别用焊料4个别地与晶体管元件1a~1c及二极管2a~2c的上表面接合。布线部件5d用焊料4共同地与晶体管元件1d~1f及二极管2d~2f的上表面接合。此外,也可以代替焊料4,使用导电性粘结剂等。布线部件5a~5c分别与散热器3d~3f的上表面的周边部接合。互相分离的布线部件5e~5g分别与散热器3a~3c的上表面的周边部接合。
信号布线6a~6c分别导线连接到晶体管元件1a~1c的控制端子。信号布线6d~6f分别导线连接到晶体管元件1d~1f的控制端子。为了与外部的绝缘,绝缘层7设置在散热器3d~3f的下表面。这些散热器3a~3f、晶体管元件1a~1f、二极管2a~2f、一部分布线部件5a~5g、一部分信号布线6a~6f以及绝缘层7的上表面及侧面,被模制树脂8覆盖。
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