[发明专利]用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法

权利要求书

1.一种用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，包括： 

一硅片； 

一第一二氧化硅层，其制作在硅片的正面； 

一第二二氧化硅层，其制作在硅片的背面； 

一第一金属化层，其制作在第一二氧化硅层上，该第一金属化层分为两段，其中间部位有一缝隙； 

一第二金属化层，其制作在第二二氧化硅层上。 

2.根据权利要求1所述的用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，其中硅片的厚度为100um-1000um。 

3.根据权利要求2所述的用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，其中硅片为双面抛光。 

4.根据权利要求1所述的用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，其中该第一二氧化硅层的厚度为3000埃-1.5um，该第一二氧化硅层为绝缘层。 

5.根据权利要求1所述的用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，其中该第二二氧化硅层的厚度为3000埃-1.5um，该第二二氧化硅层为绝缘层。 

6.一种用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉的制备方法，包括如下步骤： 

步骤1：取一硅片； 

步骤2：清洗； 

步骤3：在清洗后的硅片的正面及背面分别制作第一二氧化硅层和第二二氧化硅层； 

步骤4：在第一二氧化硅层和第二二氧化硅层上分别制作第一金属化层和第二金属化层； 

步骤5：在第一金属化层上制作图形，光刻，使第一金属化层形成两 段结构，其两段之间刻出缝隙，完成制备。 

7.根据强烈要求6所述的用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉的制备方法，其中该硅片的厚度为100um-1000um。 

8.根据权利要求7所述的用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉的制备方法，其中硅片为双面抛光。 

9.根据权利要求6所述的用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉的制备方法，其中该第一二氧化硅层的厚度为3000埃-1.5um，该第一二氧化硅层为绝缘层。 

10.根据权利要求6所述的用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉的制备方法，其中该第二二氧化硅层的厚度为3000埃-1.5um，该第二二氧化硅层为绝缘层。