[发明专利]存储器及其存储阵列、访问控制方法和访问控制电路

权利要求书

1.一种存储阵列，其特征在于，包括：

多个字节单元，所述字节单元包括多个存储单元，所述存储单元包括第一存储位、第二存储位及所述第一存储位与第二存储位共用的中间电极；所有存储单元按行和列排布；

多条位线，各存储单元连接相邻的两条位线；

多条控制栅线，同一字节单元中各存储单元的第一存储位和第二存储位的控制栅极共用一条控制栅线；

多条字线，同一行存储单元的中间电极共用一条字线。

2.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述多条位线包括间隔排布的第一位线与第二位线，在行上相邻的存储单元共用所述第一位线或第二位线，在列上相邻的存储单元共用所述第一位线和第二位线。

3.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，属于同一存储块的存储单元的第一存储位和第二存储位的控制栅极共用一条控制栅线，所述存储块包括多个字节单元。

4.一种权利要求1～3任一项所述的存储阵列的访问控制方法，其特征在于，包括执行下述步骤以擦除目标字节单元中各存储单元内的数据：

加载第一字线电压至与目标字节单元中各存储单元连接的字线，对其他字线置零；

加载第一控制电压至与所述目标字节单元中各存储单元连接的控制栅线，对其他控制栅线加载第二控制电压，所述第一控制电压低于零电位，所述第二控制电压高于零电位；

分别对与所述目标字节单元中各存储单元连接的两条位线置零，对其他位线加载第一位线电压。

5.如权利要求4所述的存储阵列的访问控制方法，其特征在于，所述第一字线电压的取值范围为6V～9V；所述第一控制电压的取值范围为-8V～-6V，所述第二控制电压的取值范围为6V～8V；所述第一位线电压的取值范围为4V～6V。

6.如权利要求4所述的存储阵列的访问控制方法，其特征在于，还包括执行下述步骤以对目标存储单元进行编程：

加载第二字线电压至与目标存储单元连接的字线，对其他字线置零；

加载第三控制电压至与目标存储单元连接的控制栅线，对其他控制栅线置零；

分别加载第二位线电压至与目标存储单元一个存储位连接的位线、第三位线电压至与目标存储单元另一个存储位连接的位线、第四位线电压至其他位线，使目标存储单元的两条位线之间形成电流。

7.如权利要求6所述的存储阵列的访问控制方法，其特征在于，所述第二字线电压的取值范围为1V～2V；所述第三控制电压的取值范围为6V～8V；所述第二位线电压的取值范围为4V～6V，所述第三位线电压的取值范围为0.1V～0.4V；所述第四位线电压的取值范围为2V～3V。

8.如权利要求7所述的存储阵列的访问控制方法，其特征在于，所述第二字线电压的取值为1.6V。

9.如权利要求4所述的存储阵列的访问控制方法，其特征在于，还包括执行下述步骤以对目标存储单元进行读取：

加载第三字线电压至与目标存储单元连接的字线，对其他字线置零；

对所述多条控制栅线置零；

加载第五位线电压至与目标存储单元一个存储位连接的位线，对与目标存储单元另一个存储位连接的位线及其他位线置零。

10.如权利要求9所述的存储阵列的访问控制方法，其特征在于，所述第三字线电压的取值范围为2V～5V；所述第五位线电压的取值范围为0.6V～1V。

11.一种权利要求1～3任一项所述的存储阵列的访问控制电路，其特征在于，包括：

字线控制单元，用于在对目标字节单元中各存储单元执行数据擦除时，加载第一字线电压至与所述目标字节单元各存储单元连接的字线，对其他字线置零；

控制栅线控制单元，用于在对目标字节单元中各存储单元执行数据擦除时，加载第一控制电压至与所述目标字节单元中各存储单元连接的控制栅线，对其他控制栅线加载第二控制电压，所述第一控制电压低于零电位，所述第二控制电压高于零电位；

位线控制单元，用于在对目标字节单元中各存储单元执行数据擦除时，对与所述目标字节单元中各存储单元连接的两条位线置零，对其他位线加载第一位线电压。

12.如权利要求11所述的存储阵列的访问控制电路，其特征在于，所述字线控制单元包括多个分别与相应字线连接的字线控制开关。