[发明专利]沟槽型功率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽型功率晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延层；

在所述外延层上自下而上形成遮蔽氧化层与研磨终止层；

采用光刻、刻蚀工艺在所述外延层内形成沟槽；

在所述沟槽内侧壁形成栅极氧化层；

在所述沟槽内填入栅极材料层，并研磨去除所述沟槽外的多余栅极材料层，所述研磨工艺以研磨终止层为研磨终点。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用光刻、刻蚀工艺在所述外延层内形成沟槽前，所述研磨终止层上还形成有硬掩膜层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极材料层的材质为多晶硅，所述研磨终止层的材质为氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或上述材质的组合。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底的材质为硅，所述硬掩膜层的材质为无定形碳、二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳化硅。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述遮蔽氧化层的材质与栅极氧化层的材质相同。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述沟槽内侧壁形成栅极氧化层是通过热氧化法制作的。

7.根据权利要求1至6任一项所述的制作方法形成的沟槽型功率晶体管。