[发明专利]半导体晶片表面保护用粘合带有效
| 申请号： | 201310097109.7 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103360972A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 大仓雅人 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护 粘合 | ||
1.一种半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，
在基材膜上具有由压敏型粘合剂形成的粘接剂层，在贴合于表面具有凹凸的晶片时追随该凹凸，并且相对于所述凹凸的形状固定率为50％以上。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，就所述粘合带，在25℃时相对于不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)研磨面的粘合力为1.5～5N/25mm，在50℃时相对于不锈钢研磨面的粘合力为0.01～1.5N/25mm。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，所述粘合剂在交联后的25℃的损耗角正切Tanδ为0.5～0.8。
4.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，所述粘合剂在交联后的玻璃化转变温度Tg为-40℃～-10℃。
5.根据权利要求1～权利要求4中任一项所述的半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的厚度为30～100μm。
6.根据权利要求1～权利要求5中任一项所述的半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，所述形状固定率以下式(1)表示，
形状固定率＝(d2/d1)×100(％) (1)
其中，
d1：以0.25MPa的压力在具有高20μm、间距40μm的金属凸块的半导体晶片贴合半导体晶片表面保护用粘合带，在25℃的环境下放置1小时后，剥离半导体晶片表面保护用粘合带，在5分钟后测得的粘合剂层的凹部深度；
d2：以0.25MPa的压力在具有高20μm、间距40μm的金属凸块的半导体晶片贴合半导体晶片表面保护用粘合带，在25℃的环境下放置1小时后，剥离半导体晶片表面保护用粘合带，在25℃的环境下放置1小时后测得的粘合剂层的凹部深度。
7.根据权利要求1～权利要求6中任一项所述的半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，所述形状固定率为55％以上且77％以下。
8.根据权利要求6所述的半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，所述金属凸块为金凸块。
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