[发明专利]半导体晶片表面保护用粘合带

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体晶片表面保护用粘合带。更详细而言，涉及一种能够应用到其表面具有凹凸的半导体晶片的背部研磨工序的半导体晶片表面保护用粘合带。

背景技术

半导体晶片的制造工序中，通常为了使形成图案后的晶片的厚度变薄，而对晶片背面实施背部研磨、蚀刻等处理。此时，为了保护半导体晶片表面的图案，而在该图案面贴附半导体晶片表面保护用粘合带。半导体晶片表面保护用粘合带一般以在基材膜上层叠粘合剂层并在半导体晶片的背面贴附粘合剂层的方式使用。

近年来，随着手机、个人电脑等的小型化、高功能化，开发出比引线接合更能节省空间地进行安装的倒装片安装。就倒装片安装而言，在将芯片表面和基板进行电连接时，利用以阵列状形成在半导体晶片表面的凸块进行连接，为了进一步的小型化，凸块-凸块间的间距的狭小化加剧。当在如此紧密地配置有凸块的晶片表面贴合半导体晶片表面保护用粘合带时，即使能够在贴合后立即埋没凸块，一旦从贴合后到加工半导体晶片之前空出时间，半导体晶片表面保护用粘合带就会回到原本的状态，因此存在半导体晶片表面保护用粘合带从半导体晶片表面浮起的问题。若半导体晶片表面保护用粘合带浮起，则会在半导体晶片之间产生空隙，因此，在该状态下实施背面磨削加工时，会产生晶片磨削面厚度不均一的韧窝，有时还可能导致半导体晶片破损。

作为防止此种半导体晶片表面保护用粘合带的浮起的手段之一，考虑通过提高粘合剂层的粘合力来进行应对，但是若粘合力过强，则存在在剥离半导体晶片表面保护用粘合带时半导体晶片破损、或者在剥离后粘合剂残留在半导体晶片表面的问题。

为了解决该问题，提出了通过使用放射线固化型粘合剂而在剥离半导体晶片表面保护用粘合带时使粘合力降低的方案。但是，通过放射线固化而使粘合剂固化收缩，因此粘合剂会嵌入凸块等晶片表面的凹凸，变得难以剥离，在该情况下，产生半导体晶片破损、或者剥离后粘合剂残留在半导体晶片表面的问题。此外，若凸块-凸块间的间距狭小化加剧，则在贴合半导体晶片表面保护用粘合带时，在半导体晶片和半导体晶片表面保护用粘合带之间卷入气泡，由于该气泡中的氧所带来的固化阻碍等影响，可能不会在剥离半导体晶片表面保护用粘合带时降低粘合力而难以剥离。

综上所述，对表面具有凹凸的半导体晶片而言，适合使用无需通过放射线固化等来降低粘合力而能够直接进行剥离的、所谓压敏型粘合剂。作为这样的具有粘合剂层的半导体晶片表面保护用粘合带，已知有例如专利文献1中记载的半导体晶片表面保护用粘合带。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2011-129605号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在如专利文献1记载的具有压敏型的粘合剂层的半导体晶片表面保护用粘合带中，考虑背面磨削后的剥离性而在半导体晶片贴合时降低粘合力，因此在紧密地配置有凸块的晶片表面贴合半导体晶片表面保护用粘合带的情况下，一旦到加工半导体晶片之前空出时间，半导体晶片表面保护用粘合带就会从半导体晶片表面浮起，在以该状态进行背面磨削加工时，产生晶片磨削面厚度不均一的韧窝，有时还可能导致半导体晶片破损。

为此，本发明的目的在于，提供一种半导体晶片表面保护用粘合带，其在贴合于半导体晶片表面时充分追随半导体晶片表面的凹凸，继续保持该状态，能够减少半导体晶片背面研磨时的半导体晶片磨削面的韧窝的产生、半导体晶片的破损。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，本申请发明的半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，在基材膜上具有由压敏型的粘合剂形成的粘接剂层，且在贴合于表面具有凹凸的晶片时追随该凹凸，并且相对于上述凹凸的形状固定率为50％以上。

优选使上述半导体晶片表面保护用粘合带在25℃时相对于不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)研磨面的粘合力为1.5～5N/25mm、在50℃时相对于不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)研磨面的粘合力为0.01～1.5N/25mm。

此外，上述半导体晶片表面保护用粘合带中，上述粘合剂在交联后的25℃的损耗角正切Tanδ优选为0.5～0.8。

此外，上述半导体晶片表面保护用粘合带中，上述粘合剂在交联后的玻璃化转变温度Tg优选为-40℃～-10℃。

此外，上述半导体晶片表面保护用粘合带中，上述粘合剂层的厚度优选为30～100μm。

此外，上述半导体晶片表面保护用粘合带中，上述形状固定率优选以下述式(1)来表示。