[发明专利]动态存储器读操作下的省电方法及其列选择信号驱动电路有效

专利信息
申请号: 201310098026.X 申请日: 2013-03-25
公开(公告)号: CN103177756A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 段会福;俞冰;付妮 申请(专利权)人: 西安华芯半导体有限公司
主分类号: G11C11/407 分类号: G11C11/407
代理公司: 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 代理人: 田洲
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 动态 存储器 操作 方法 及其 选择 信号 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种动态存储器读操作下的省电方法,其特征在于,包括:当第二级灵敏放大器的放大使能信号或第二级灵敏放大器的均衡信号为高且动态存储器中第二级灵敏放大器(SSA)工作时,将列选择信号置低关闭位线(BL/BL_N)和局部数据线(LDQ/LDQ_N)之间的开关。

2.用于实现权利要求1所述的省电方法的动态存储器列选择信号驱动电路,其特征在于,包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6第一反相器(inv1)和第二反相器(inv2);第二反相器(inv2)的输入端连接第二级灵敏放大器的放大使能信号线(CMA)或第二级灵敏放大器的均衡信号线(re_n),第二反相器(inv2)的输出端连接PMOS管M3的栅极和NMOS管M6的栅极;PMOS管M1的栅极和NMOS管M4的栅极连接列选择信号译码电路使能信号输入线(csle);PMOS管M2的栅极和NMOS管M5的栅极连接预译码结果线(predecode);PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极和PMOS管M3的源极共接,PMOS管M1的漏极、PMOS管M2的漏极、PMOS管M3的漏极、第一反相器(inv1)的输入端和NMOS管M4的漏极共接,第一反相器inv1的输出端连接列选择信号线(CSL),NMOS管M4的源极连接NMOS管M5漏极,NMOS管M5的源极连接NMOS管M6的源极,NMOS管M6的漏极接地。

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