[发明专利]柔性光电器件衬底、柔性光电器件及制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及柔性光电器件制备领域，尤其涉及一种柔性光电器件衬底、柔性光电器件及制备方法。 

背景技术

有机发光器件(以下简称OLED)目前主要应用于5英寸以下小尺寸智能手机的屏幕，同时正挑战10英寸以上的大尺寸屏。至今人类制作的最大的OLED屏幕达到50英寸以上，如：三星、LG的55英寸和索尼、松下的56英寸OLED TV。但是在大尺寸显示屏领域，LCD（液晶显示器）是目前主流的产品，因为在性价比方面LCD远胜于OLED，使OLED难以进入市场。而柔性显示是OLED与LCD产品差异化的主要方向之一。OLED是主动型发光器件，器件厚度一般小于0.2μm，因此只要选择适当材料与厚度的基板，就可以制作出超薄的柔性光电器件。 

最早的主动矩阵方式(AM：Active Matrix)柔性光电器件的制作方法为：将塑胶基板通过粘胶剂粘着到载体上，在塑胶基板上制作器件，待器件制作完成后，分离塑胶基板与载体，得到柔性光电器件。采用这种方法有以下三方面的缺点：1.制作过程中对位困难；2.塑胶基板与载体分离后存在残胶现象；3.TFT-array（液晶层）工程温度受限，直接导致TFT (薄膜场效应晶体管)器件的迁移率较小。 

为了解决以上问题，本领域研究开发出一种耐高温的高分子薄膜(如：PI（聚酰亚胺）)，并开发出采用涂敷的方法在玻璃基板上形成高分子薄膜的工艺。目前采用耐高温高分子薄膜制作柔性光电器件的方法主要归为两大类，一种是如图1所示，应用了分离层20(DBL: Debonding Layer)，通过切割的方法，使高分子薄膜30与玻璃基板10分离，得到柔性光电器件。另一种方法是如图2所示，在玻璃基板10上淀积牺牲层32（牺牲层由a-Si、金属氧化物或者金属合金形成），在牺牲层32上涂敷高分子薄膜30，在高分子薄膜层30上制作器件，待器件制作完成后，通过激光照射使高分子薄膜30与牺牲层32间的化学键断裂，使高分子薄膜30从玻璃基板10分离，得到柔性光电器件。 

通过以上方法可在玻璃基板尺寸较小的产线上制作柔性光电器件，但是由于高分子薄膜(>15ppm/℃)与玻璃基板(3ppm/℃)间的热膨胀系数相差较大，在TFT-array制造过程中经多次温度变化，高分子膜发生凸起，尤其在基板四周发生高分子薄膜脱落的现象。而在TFT-array工程过程中基板又多次与纯水、显影液、刻蚀系列的各种酸(如：硝酸、醋酸、磷酸等)、剥离液(60～70℃)、稀释液等液体药液接触，很难保证高分子薄膜在整个工程过程中始终严密地粘着在玻璃基板上。一旦某处发生缺口，高分子薄膜就会从缺口处开始从玻璃基板上剥离，在TFT-array工程结束前高分子薄膜有可能从玻璃基板完全剥离，因此很难进行批量生产。这种现象在大尺寸的玻璃基板上更容易发生，且更为严重。由于以上原因，尽管业界深入且广泛地研究柔性显示技术，但是还没有在量产上获得成功。 

因此，现有技术还有待于改进和发展。 

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种柔性光电器件衬底、柔性光电器件及制备方法，所述柔性光电器件衬底是用于制备柔性光电器件的，采用所述柔性光电器件衬底能在制备过程中防止高分子薄膜从柔性光电器件衬底上脱落，旨在解决现有柔性光电器件的制备过程中高分子薄膜容易从玻璃基板上剥离而导致生产失败的问题。 

本发明的技术方案如下： 

一种柔性光电器件衬底，所述柔性光电器件衬底用于制备柔性光电器件，在制备柔性光电器件过程中，在柔性光电器件衬底上会形成一层高分子薄膜，其中，所述柔性光电器件衬底包括玻璃基板以及用于缓冲高分子薄膜与玻璃基板间膨胀量差的金属薄膜，以防止高分子薄膜从玻璃基板上脱落；所述金属薄膜设置于所述玻璃基板表面的边缘区域，所述金属薄膜在所述玻璃基板表面围合形成用于加工所述柔性光电器件的面板形成区。

所述的柔性光电器件衬底，其中，所述金属薄膜是采用热膨胀系数为5×10^-6~20×10^-6mm/℃的金属材料形成的。 

所述的柔性光电器件衬底，其中，所述金属材料为铜、铬、钼、钨或铜铝合金。 

所述的柔性光电器件衬底，其中，所述面板形成区内包括多个用于制备单个柔性光电器件的单元面板形成区以及多个单元面板形成区之间形成的非面板粘结区；在所述非面板粘结区上设置有用于缓解高分子薄膜与玻璃基板间膨胀量差的金属薄膜。 

所述的柔性光电器件衬底，其中，所述金属薄膜的厚度为100~500nm。