[发明专利]一种掩膜板及其制造方法有效
申请号: | 201310100101.1 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN104076599A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 李田生;刘保力;谢振宇;郭建 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;G03F1/58;G03F7/20 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张颖玲;程立民 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD)技术领域,尤其涉及一种掩膜板及其制造方法。
背景技术
TFT-LCD作为一种低功耗低辐射的新型显示器,越来越在市场中占有重要地位,当今,市场上小型化的趋势越来越明显,特别是小尺寸的产品受到更多厂家的青睐,在小尺寸TFT-LCD面板的开发中布线技术的精细化显得尤为重要,而影响布线技术最重要的因素便是过孔的大小。较小的过孔能为后续工艺提供较大的设计空间,而且由于过孔较小,能极大的改善产品的品质,并能应用于每英寸拥有像素(Pixels per inch,PPI)数高的产品的生产,特别是应用在一些特殊高端产品上时,较小的过孔就显得更为重要了。
传统制备工艺制备的过孔,其大小主要受设备本身的精度影响,因而难以制造更小尺寸的过孔,这就需要开发一种技术来尽量减小过孔的尺寸。目前,在现有技术中主要依靠两种方法来调整过孔的尺寸,一种为薄膜调整,另一种为刻蚀条件的调整;虽然通过上述两种方法可以减小最终过孔的尺寸,但减小的程度有限,且并未从根本上解决问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种掩膜板及其制造方法,能随意调整过孔的大小,尤其是能制造出较小尺寸的过孔。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
本发明提供了一种掩膜板,包括基板,所述基板上包括不曝光区域和部分曝光区域;其中,所述基板的不曝光区域上至少形成有不透光材料层;所述基板的部分曝光区域上形成有部分透光材料层;所述部分曝光区域中的部分透光材料层两端部分的厚度大于中间部分的厚度,且所述部分曝光区域中的部分透光材料层与不曝光区域中的不透光材料层相连。
这里,所述部分透光材料层包括:第一部分透光材料层和第二部分透光材料层;其中,所述第一部分透光材料层形成于所述部分曝光区域的两端部分,且所述第一部分透光材料层与所述不透光材料层连接;所述第二部分透光材料层形成于所述第一部分透光材料层上、以及形成于未覆盖有所述第一部分透光材料层的部分曝光区域上;或者,
所述第一部分透光材料层形成于部分曝光区域上,且所述第一部分透光材料层与不透光材料层连接;所述第二部分透光材料层形成于所述部分曝光区域的两端部分,且所述第二部分透光材料层与所述不透光材料层连接。
所述不曝光区域上还形成有部分透光材料层,且所述部分透光材料层形成于所述不透光材料层上;
所述部分透光材料层采用的材料包括:树脂或氧化铬。
本发明还提供一种上述掩膜板的制造方法,所述掩膜板包括基板,所述基板包括不曝光区域和部分曝光区域;其中,所述方法包括:在所述基板的不曝光区域上至少形成不透光材料层;在所述基板的部分曝光区域上形成部分透光材料层,使所述部分曝光区域中的部分透光材料层两端部分的厚度大于中间部分的厚度,且使所述部分曝光区域中的部分透光材料层与所述不曝光区域中的不透光材料层相连。
这里,所述部分透光材料层包括:第一部分透光材料层和第二部分透光材料层;所述方法还包括:在所述部分曝光区域的两端部分形成所述第一部分透光材料层,且所述第一部分透光材料层与所述不透光材料层连接;在所述第一部分透光材料层上、以及形成于未覆盖有所述第一部分透光材料层的部分曝光区域上形成第二部分透光材料层;或者,
在所述部分曝光区域上形成所述第一部分透光材料层,且所述第一部分透光材料层与所述不透光材料层连接;在所述部分曝光区域的两端部分上形成所述第二部分透光材料层,且所述第二部分透光材料层与所述不透光材料层连接。
所述不曝光区域上还形成有部分透光材料层;所述方法还包括:在所述不曝光区域中的不透光材料层上形成所述部分透光材料层。
所述部分透光材料层通过一次半色调掩膜工艺形成。
所述第一部分透光材料层和第二部分透光材料层通过一次半色调掩膜工艺形成、或者通过两次单色调掩膜工艺形成。
本发明所提供的掩膜板及其制造方法,具有以下的优点和特点:
采用本发明掩膜板制造过孔,能从根本上解决过孔尺寸较大的问题,而且,采用本发明方法制造过孔,可以调整过孔的尺寸,尤其能制造出较小尺寸的过孔。
本发明掩膜板能通过调节光的透过率来调节光刻胶上曝光区域处的宽高比,为实现过孔大小的自由化、为制备较小尺寸的过孔打下基础;另外,由于采用本发明能减小光刻胶上曝光区域处的宽高比,且较小的宽高比适用于灰化成孔技术,也为制造出更小尺寸的过孔打下基础。
本发明不需优化其他工艺,即可制造出较小尺寸的过孔,实现了工艺的简单化。
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