[发明专利]旋转的半导体器件扇出型晶圆级封装及其制造方法

说明书

技术领域

本公开各方面大体上涉及一种旋转的半导体器件扇出型晶圆级封装并且涉及用于制造旋转的半导体器件扇出型晶圆级封装的方法。

背景技术

现今，集成电路器件的制造典型地包括集成电路或半导体器件的封装。封装器件的可靠性始终受关注，尤其关于芯片/封装互连的集成性亦是如此。

附图说明

在图中，相同的附图标记在不同的视图中通常指代相同的部分。附图未必按比例绘制，反而一般着重于说明本发明的原理。在以下描述中，参考下列各图描述本发明的公开的各个方面，其中：

图1A-1C示出了根据本公开的一方面的半导体器件配置；

图2A-2B示出了根据本公开的一方面的半导体器件配置；

图3示出了根据本公开的另一方面的半导体器件配置；

图4示出了根据本公开的另一方面的半导体器件配置；

图5A-5B示出了根据本公开的另一方面的半导体器件配置；

图6A-6C示出了根据本公开的另一方面的半导体器件配置；

图7A-7B示出了根据本公开的另一方面的半导体器件配置；

图8示出了根据本公开的另一方面的半导体器件配置。

具体实施方式

在本公开的各个方面中，可提供一种半导体器件配置，其可包括位于扇出型晶圆级封装内的至少一个半导体器件，其中半导体器件相对于封装的边缘旋转。相对于封装的边缘的旋转程度可包括许多角度，例如包括22.5o ±5o、22.5o ±10o、45o±5o或45o ±10o。半导体器件的旋转可减少在与中性点相距的距离从半导体器件的中心到封装角部的区域中具有高的热膨胀系数差的区域中所包括的半导体器件材料（硅板），允许较好的热循环性能。旋转的半导体器件还可允许半导体器件与位于下层的球栅阵列之间改善的互连布线。半导体器件的旋转还进一步允许缩减从位于半导体器件角部上的接合焊盘到封装边缘的距离，允许更短的互连和更好的电气性能。半导体器件的旋转可允许堆叠封装结构中的改善的布线。半导体器件的旋转还可允许提高在芯片封装中可用的空间的利用，允许两个或更多个半导体器件合并入在之前仅可容纳一个半导体器件的封装中。

以下详细描述参考附图，附图通过例示示出了可实施本发明的公开的具体细节和方面。本公开的其他方面可被采用并且可在不背离本发明范围的情况下做出结构的、逻辑的或电学的修改。本公开的各个方面未必是互相排斥的，因为本公开的某些方面可以与本公开的一个或多个其他方面组合来形成本公开的新的方面。以下详细描述并非是限制性的，本发明的范围由所附权利要求限定。

针对器件提供了本公开的各个方面，并且针对方法提供了本公开的各个方面。将理解器件的基本性质也适用于方法，反之亦然。因此，为了简洁，将省略这些性质的重复描述。

文中所用的术语“耦合”或“连接”可分别被理解为包括直接“耦合”或直接“连接”以及间接“耦合”或间接“连接”。

文中所用的术语“设置在…之上”、“位于…之上”或“布置在…之上”意在包括第一元件或层可被直接设置在、位于或布置在第二元件或层上且在其间没有其他的元件或层的配置，以及第一元件或层可被设置在、位于或布置在第二元件或层上且在第一元件或层与第二元件或层之间具有一个或多个附加的元件或层的配置。

文中所用的术语“旋转的半导体器件”可被理解为指示一个或多个半导体器件绕着相对于封闭封装的轴线旋转。例如，根据本公开的某些方面，半导体器件的边缘可相对于位于下层的封装的边缘旋转45度±5度，导致半导体器件的平坦边缘直接相对封装的角部。然而，文中所用的术语“旋转的半导体器件”包括绕着半导体器件的任何轴线或角部旋转，并且无意于暗示仅绕着半导体器件或封装的中心轴线旋转。

文中所用的术语“接合焊盘”可被理解为包括例如在半导体器件或芯片的接合工艺中（例如，在丝焊工艺中、在倒装芯片工艺中或在球接工艺中）将被接触的焊盘。在应用球接工艺的情况下，也可使用术语“球形焊盘”。

文中所用的术语“重新分布迹线”可被理解为包括例如设置在半导体器件的或晶圆的有源表面上并且用于重新定位半导体器件或晶圆的接合焊盘的导线或迹线。换句话说，接合焊盘在半导体器件或晶圆上的原始位置可借助于重新分布迹线而被变换至新的位置，重新分布迹线可用作在半导体器件或晶圆上位于新位置的（重新定位的）接合焊盘与位于原始位置的电触点（或焊盘）之间的电连接。