[发明专利]栅格扇出晶圆级封装和制造栅格扇出晶圆级封装的方法有效

专利信息
申请号: 201310101471.7 申请日: 2013-03-27
公开(公告)号: CN103367274A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: T.迈耶 申请(专利权)人: 英特尔移动通信有限责任公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L21/48;H05K1/18;H05K3/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蒋骏;王忠忠
地址: 德国诺*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 栅格 扇出晶圆级 封装 制造 方法
【权利要求书】:

1. 一种芯片封装布置,包括:

电介质层;

邻接该电介质层的至少一个半导体器件;

在该至少一个半导体器件上的至少一个接合区域,该接合区域通过电介质层被暴露;

包括第一热膨胀系数的第一材料,该第一材料基本上围绕该至少一个半导体器件且邻接该电介质层;

包括第二热膨胀系数的第二材料,该第二材料基本上围绕该至少一个半导体器件和该第一材料;以及

电连接到该至少一个半导体器件的至少一个导电迹线。

2. 权利要求1的芯片封装布置,其中封装还连接到印刷电路板。

3. 权利要求1的芯片封装布置,其中第一热膨胀系数大于第二热膨胀系数。

4. 权利要求1的芯片封装布置,其中第一材料是金属。

5. 权利要求1的芯片封装布置,其中第一材料是铜。

6. 权利要求2的芯片封装布置,其中印刷电路板的热膨胀系数基本上类似于第一材料的热膨胀系数。

7. 权利要求1的芯片封装布置,其中第二材料包括塑封料。

8. 一种制造芯片封装布置的方法,该方法包括:

提供至少一个半导体器件;

在该至少一个半导体器件上形成至少一个接合焊盘;

用包括第一热膨胀系数的第一材料围绕该至少一个半导体器件;

通过用包括第二热膨胀系数的第二材料围绕该第一材料和该至少一个半导体器件来形成第一层;

形成邻接该第一材料和该至少一个半导体器件的局部电介质层;和

形成到接合焊盘的电连接。

9. 权利要求8的制造芯片封装布置的方法,还包括:形成邻接第一层的第二层,该第二层包含包括第二热膨胀系数的材料。

10. 权利要求8的制造芯片封装布置的方法,还包括:形成邻接所述局部电介质层的局部阻焊层。

11. 一种芯片封装布置,包括:

包括电触点的至少一个半导体器件裸片;

包括第一热膨胀系数的第一材料,第一材料邻接电介质材料且至少部分地围绕该半导体器件;

包括第二热膨胀系数的第二材料,该第二材料至少部分地围绕该半导体器件和该第一材料;

与该电触点连接的再分布迹线。

12. 权利要求11的芯片封装布置,其中再分布迹线还经由电连接装置连接到印刷电路板。

13. 权利要求12的芯片封装布置,其中所述电连接装置包括焊料。

14. 权利要求13的芯片封装布置,其中所述电连接装置包括焊球。

15. 权利要求11的芯片封装布置,被配置为嵌入式晶圆级球栅阵列。

16. 一种芯片封装布置,包括:

包括具有电触点的半导体器件的第一层,该半导体器件包括第一热膨胀系数;

包括第二热膨胀系数的第一材料,第一材料邻接电介质材料且至少部分地围绕第一层中的半导体器件;

包括第三热膨胀系数的第二材料,该第二材料至少部分地围绕第一层中的该半导体器件和第一材料;以及

邻接第一层的包括第二材料的第二层;和

与该电触点连接的再分布迹线。

17. 权利要求16的芯片封装布置,其中半导体器件、第一材料和第二材料的尺寸被选择,使得第一层具有与第二层的热膨胀率相容的有效热膨胀率。

18. 权利要求16的芯片封装布置,其中再分布迹线还连接到印刷电路板。

19. 权利要求16的芯片封装布置,其中第二材料包括塑封料。

20. 一种器件,包括:

包括具有电触点的半导体器件的第一层,该半导体器件包括第一热膨胀系数;

包括第二热膨胀系数的第一材料,第一材料邻接电介质材料且至少部分地围绕第一层中的半导体器件;

包括第三热膨胀系数的第二材料,该第二材料至少部分地围绕第一层中的该半导体器件和第一材料;

邻接第一层的包括第二材料的第二层;和

与该电触点连接的再分布迹线。

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