[发明专利]通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜

权利要求书

1.一种制品，包含：

a)具有表面侧和底面侧的柔性聚合物基材，和

b)在所述基材的所述表面侧和底面侧之一或两者上通过原子层沉积法沉积的厚度为2-100纳米的气体渗透阻挡层，其中用于所述气体渗透阻挡层的材料选自元素周期表中IVB、VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它们的结合，且所述气体渗透阻挡层的结构是非结晶的和没有特征的。

2.一种制品，包含：

a)具有表面侧和底面侧的柔性聚合物基材，

b)涂覆的粘合层，和

c)在所述基材的所述表面侧和底面侧之一或两者上通过原子层沉积法沉积的厚度为2-100纳米的气体渗透阻挡层，其中用于所述气体渗透阻挡层的材料选自元素周期表中IVB、VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它们的结合，且所述气体渗透阻挡层的结构是非结晶的和没有特征的。

3.一种制品，包含：

a)柔性聚合物基材，

b)有机半导体，和

c)通过原子层沉积法沉积的厚度为2-100纳米的气体渗透阻挡层，其中用于所述气体渗透阻挡层的材料选自元素周期表中IVB、VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它们的结合，且所述气体渗透阻挡层的结构是非结晶的和没有特征的。

4.一种制品，包含：

a)柔性聚合物基材，

b)液晶聚合物，和

c)通过原子层沉积法沉积的厚度为2-100纳米的气体渗透阻挡层，其中用于所述气体渗透阻挡层的材料选自元素周期表中IVB、VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它们的结合，且所述气体渗透阻挡层的结构是非结晶的和没有特征的。

5.权利要求1-4中任一项的制品，其中气体渗透阻挡层的厚度为2-50纳米。

6.权利要求1-5中任一项的制品，其中所述柔性聚合物基材在＞250℃出现化学降解和/或尺寸变化。

7.权利要求1-6中任何一项的制品，其中该制品是封闭容器。

8.权利要求1-6中任何一项的制品，其中该制品是电力或电子器件。

9.权利要求1-6中任何一项的制品，其中该制品是发光聚合物器件。

10.权利要求1-6中任何一项的制品，其中该制品是有机发光二极管、晶体管、有机光电池或液晶显示器。

11.权利要求1-6中任何一项的制品，其中该制品是包含发光聚合物器件的电路。

12.权利要求1-6中任何一项的制品，其中该制品是包含晶体管的电路。

13.包含许多层的第二种制品，每层包含一个权利要求1-6任何一项中描述的制品，其中制品相互接触。

14.权利要求13的第二种制品，其中所述制品通过层叠手段相互接触。

15.权利要求1-6中任一项的制品，其中所述柔性聚合物基材是柔性聚酯基材。

16.权利要求15的制品，其中所述柔性聚酯基材是对苯二甲酸乙二醇酯基材或聚萘二甲酸乙二醇酯基材。

17.权利要求1-8中任一项的制品，其中所述气体渗透阻挡层的材料是Al₂O₃。

18.权利要求17的制品，其中所述原子层沉积法使用三甲基铝作为铝前体和臭氧作为氧化剂进行。