[发明专利]通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜无效
申请号: | 201310101501.4 | 申请日: | 2004-05-14 |
公开(公告)号: | CN103215569A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | P.F.卡西亚;R.S.麦克莱恩 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40;H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李炳爱 |
地址: | 美国特拉华*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 原子 沉积 形成 塑料 基材 阻挡 | ||
本申请是申请日为2004年5月14日、发明名称为“通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜”的PCT/US2004/015270的发明专利申请的分案申请,原申请的中国专利申请号为200480013439.2。
技术领域
本发明涉及包含塑料或玻璃基材以及通过原子层沉积形成的环境气体渗透阻挡层的制品。该制品可以是诸如有机发光二极管的电力或电子器件的部件。该制品也可用于气体渗透很重要的应用中的容器。
背景技术
Featherby和Dehaven(WO 2001067504)公开了一种密封涂层器件。这种器件的形成包括提供集成半导体电路型板、施加包封该电路型板的含有无机材料的第一层,以及施加包封该电路型板的第二层步骤。
Aintila(WO 9715070A2)公开了在基材表面的金属接触盘区域上形成接触隆起块,包括用原子层外延生长在基材上形成氧化物层,该层在后续加工步骤中要求的点处有开口。
Aftergut和Ackerman(US 5641984)公开了包含水分阻挡层的密封辐照成像器。在原子层外延生长技术中沉积了介电材料层作为该密封结构的一部分。
Aftergut和Ackerman(US 5707880)公开了包含水分阻挡层的密封辐照成像器,该阻挡层包含通过原子层外延生长沉积的介电材料层。
以上文献都没有公开包含聚合物或玻璃基材的渗透阻挡层。
发明内容
本发明描述了一种制品,该制品包含:
a)由选自塑料和玻璃的材料制成的基材,和
b)通过原子层沉积法沉积在所述基材上的膜。
本发明还是一种制品,该制品包含:
a)由选自塑料和玻璃的材料制成的基材;
b)涂覆的粘合层;和
c)通过原子层沉积法沉积的气体渗透阻挡层。
本发明的另一种实施方案是一种制品,该制品包含:
a)由选自塑料和玻璃的材料制成的基材;
b)有机半导体,和
c)通过原子层沉积法沉积的气体渗透阻挡层。
本发明的又一种实施方案是一种制品,该制品包含:
a)选自塑料和玻璃的材料制成的基材;
b)液晶聚合物,和
c)通过原子层沉积法沉积的气体渗透阻挡层。
本发明还描述了作为封闭容器的实施方案。
本发明的另一个实施方案是电力或电子器件。
本发明的又一个实施方案是发光聚合物器件。
本发明的又一个实施方案是液晶聚合物器件。
本发明还描述了有机发光二极管。
本发明的另一个实施方案是晶体管。
本发明又一个实施方案是包含发光聚合物器件的电路。
又一种器件是有机光电池。
本发明提出的第二种器件包含许多层,每层都包含一个上述制品,其中这些制品互相接触。在这样的一种实施方案中,这种上述制品的第二种制品通过层叠手段相互接触。
附图说明
图1表示具有阻挡层基材和阻挡层外涂层的发光聚合物器件。
图2表示具有阻挡层基材和阻挡层封口层的发光聚合物器件。
图3表示具有阻挡层基材和阻挡层封口层的有机晶体管。
图4表示具有阻挡层基材和阻挡层封口层的有机晶体管。
图5表示通过涂有25nm的Al2O3阻挡层膜的0.002英寸厚聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)测量的光透射。
详细描述
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的