[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

提供一金属板，在所述金属板上形成若干相互绝缘的电极板，在每相邻两电极板上电连接一发光二极管芯片；

在金属板上形成若干凸起部，每一凸起部环绕一发光二极管芯片并形成容置发光二极管芯片的凹陷部；

在凸起部下方形成覆盖电极板的基板；

形成封装层于凹陷部内；以及

切割基板形成若干个发光二极管封装结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述在金属板上形成若干凸起部的步骤包括以下步骤：

提供一模具，所述模具包括下模和上模，所述下模的上表面形成若干凸块，所述上模的下表面形成若干凹槽，所述凸块和凹槽一一对应；

将金属板夹设于上模和下模中；

上模和下模相互冲压金属板形成若干凸起部；以及

移除模具。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述上模的下表面还形成有若干容置口，每一容置口与每一发光二极管芯片一一对应，每一容置口的深度大于发光二极管芯片装设的高度。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述形成覆盖电极板的基板的步骤是采用压模的方式将高分子材料填充于电极板的凸起部内以及相邻两发光二极管芯片的相邻两凸起部之间。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板包括上表面，所述上表面与电极板的凸起部的顶面平齐。

6.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板包括下表面，所述下表面与电极板的凹陷部的底面平齐。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：

所述基板包括上表面和下表面，所述上表面和下表面将电极板的凸起部的顶面和凹陷部的底面包覆于内。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述形成封装层于凹陷部内的步骤中封装层与基板的上表面平齐。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述封装层内包括荧光粉。

10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：

所述切割基板形成若干个发光二极管封装结构的步骤是沿相邻两发光二极管芯片的相邻两凸起部之间的区域进行切割。