[发明专利]集成电路装置及用以使用于该集成电路装置中的方法

权利要求书

1.一种方法，用以使用于一集成电路装置，包括一由多个介电/导电层形成的叠层，以形成多个层间连接件，该多个层间连接件自该集成电路装置的一表面延伸至该多个导电层，该方法包括：

建立分隔的多个接触开口于该集成电路装置的一接触区域内，而贯穿一介电层并以一介电层材料分隔各该接触开口，该多个接触开口位于一导电层上，用于W个该多个导电层的每一个；

该多个接触开口的该建立步骤包括向下建立一第一接触开口至一第一导电层；

利用一组N个刻蚀掩模，2N-1小于W且2N大于或等于W，该多个刻蚀掩模具有多个掩模区及分隔的多个开放刻蚀区，该多个开放刻蚀区对应于选择的该多个接触开口；

利用N个该多个刻蚀掩模来刻蚀由该多个介电/导电层形成的该叠层，以仅贯穿W-1个该多个接触开口而建立多个延伸接触开口，该多个延伸接触开口延伸至W-1个该多个导电层；

该刻蚀步骤包括利用各该刻蚀掩模来透过至少半数的该多个接触开口而刻蚀2n-1个该多个导电层，n＝1、2...N；

该刻蚀步骤是执行，使得该多个接触开口是以该多个刻蚀掩模的不同组合的该多个开放刻蚀区来进行刻蚀；以及

形成该多个层间连接件于该第一接触开口内及该多个延伸接触开口内，以电性连接于各该导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

该多个接触开口的该建立步骤是建立具有多个深度所形成的一范围的该多个接触开口，从一最深接触开口至一最浅接触开口；

该最深接触开口于该介电层的一上表面的截面积较该最浅接触开口于该第一导电层的截面积大0-400％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

该多个接触开口的该建立步骤是建立具有多个深度所形成的一范围的该多个接触开口，从一最深接触开口至一最浅接触开口；

该最深接触开口于该介电层的一上表面的截面积较该最浅接触开口于该第一导电层的截面积大0-100％。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该建立步骤是执行且N个该多个刻蚀掩模被配置，使得围绕在该多个接触开口的周围的该介电层材料不受影响。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该多个刻蚀掩模的该使用步骤及该刻蚀步骤是执行，使得该多个接触开口与该多个延伸接触开口具有相似的周边形状。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该多个接触开口的该建立步骤包括形成该多个接触开口来贯穿该包括一介电层间及一刻蚀停止层的介电层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

该第一接触开口未在该刻蚀步骤中进行刻蚀；

三个该多个刻蚀掩模被使用来刻蚀一第二接触开口，以贯穿七层该多个导电层，n＝1、2及3；

一个该刻蚀掩模被使用来刻蚀一第三接触开口，以贯穿一层该导电层，n＝1；

两个该多个刻蚀掩模被使用来刻蚀一第四接触开口，以贯穿六层该多个导电层，n＝2及3；

一个该刻蚀掩模被使用来刻蚀一第五接触开口，以贯穿两层该多个导电层，n＝2；

两个该多个刻蚀掩模被使用来刻蚀一第六接触开口，以贯穿五层该多个导电层，n＝1及3；

两个该多个刻蚀掩模被使用来刻蚀一第七接触开口，以贯穿三层该多个导电层，n＝1及2；以及

1个该刻蚀掩模被使用来刻蚀一第八触开口，以贯穿四层该多个导电层，n＝3。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

W＝8且N＝3。

9.根据权利要求7所述的方法，其中：

该第一接触开口至该第八接触开口是以数字的顺序排列，使得该第二接触开口位于该第一接触开口与该第三接触开口之间，该第三接触开口位于该第二接触开口与该第四接触开口之间，以此类推。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

该多个接触开口的该刻蚀步骤是执行，使得至少部分的该多个层间连接件终结于位在至少与相邻的该多个层间连接件所终结的该多个导电层距离至少两个阶层的位置的该多个导电层。