[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法在审
申请号: | 201310104671.8 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN103378126A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 安东尼科夫·德米特里 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;姚志远 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
薄膜晶体管面板,包括多个薄膜晶体管;
第一色彩有机发射层与第二色彩有机发射层,位于所述薄膜晶体管面板上,所述第一色彩有机发射层与所述第二色彩有机发射层彼此间隔开;以及
第三色彩有机发射层,覆盖所述薄膜晶体管面板、所述第一色彩有机发射层以及所述第二色彩有机发射层,
其中,所述第一色彩有机发射层与所述第三色彩有机发射层对应于第一子像素,
其中,所述第二色彩有机发射层与所述第三色彩有机发射层对应于第二子像素,以及
其中,所述第三色彩有机发射层位于所述第一色彩有机发射层与所述第二色彩有机发射层之间的部分对应于第三子像素。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中
所述第一子像素、所述第二子像素与所述第三子像素形成四边形像素。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中
所述第一色彩有机发射层包括红色有机发射层,所述第二色彩有机发射层包括绿色有机发射层,所述第三色彩有机发射层包括蓝色有机发射层。
4.一种有机发光二极管显示器,包括:
薄膜晶体管面板,包括多个薄膜晶体管;以及
彼此相邻的第一色彩有机发射层、第二色彩有机发射层和第三色彩有机发射层,所述第一色彩有机发射层、所述第二色彩有机发射层和所述第三色彩有机发射层中的每个均在所述薄膜晶体管面板上具有菱形形状,
其中所述第一色彩有机发射层、所述第二色彩有机发射层与所述第三色彩有机发射层分别对应于第一子像素、第二子像素与第三子像素,并且
其中所述第一子像素、所述第二子像素与所述第三子像素形成六边形像素。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器,进一步包括多个所述六边形像素,其中
多个所述六边形像素彼此间隔开,并以蜂窝形状排列。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中
所述第一色彩有机发射层包括红色有机发射层,所述第二色彩有机发射层包括绿色有机发射层,所述第三色彩有机发射层包括蓝色有机发射层。
7.一种用于制造有机发光二极管显示器的方法,包括:
形成薄膜晶体管面板;
通过光刻工艺在所述薄膜晶体管面板上形成沉积掩模;
从线性沉积源将有机材料倾斜地喷射至所述沉积掩模,以在所述薄膜晶体管面板上形成有机发射层;以及
通过使用粘附膜去除所述沉积掩模,
其中,所述沉积掩模包括多个沉积壁,所述多个沉积壁配置为阻挡以小于阻挡角的角度喷射的有机材料。
8.如权利要求7所述的方法,其中
所述沉积掩模包括平行沉积壁,所述平行沉积壁包括彼此间隔开并相互平行的两个沉积壁。
9.如权利要求8所述的方法,其中
当所述沉积壁之间的距离表示为Wp,所述有机材料以之被所述沉积壁阻挡的所述阻挡角表示为α,且所述有机材料以之在所述平行沉积壁内沉积的沉积长度表示为Wsp时,所述沉积壁的高度h被定义如下:
h=(Wp-Wsp)×tanα。
10.如权利要求8所述的方法,其中
形成所述有机发射层的步骤包括:
以第一方向喷射第一有机材料,从而在所述平行沉积壁内形成第一色彩有机发射层;
以与所述第一方向相差180度的第二方向喷射第二有机材料,从而在所述平行沉积壁内形成第二色彩有机发射层;以及
以平行于所述沉积壁的高度方向的第三方向喷射第三有机材料,从而在所述平行沉积壁内形成第三色彩有机发射层。
11.如权利要求10所述的方法,其中
所述第二色彩有机发射层与所述第一色彩有机发射层间隔开。
12.如权利要求7所述的方法,其中
所述沉积掩模包括形成六边形形状的六边形沉积壁,所述六边形沉积壁的六个沉积壁彼此相连。
13.如权利要求12所述的方法,其中
当所述沉积壁的长度表示为a且所述有机材料以之被所述沉积壁阻挡的所述阻挡角表示为α时,所述沉积壁的高度h定义如下:
h=a×tanα。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的