[发明专利]一种电子元器件焊接方法无效

专利信息
申请号: 201310106732.4 申请日: 2013-03-29
公开(公告)号: CN103192150A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 张文宇;蒋元魁;翟后明;丁迎伟;姚巍巍 申请(专利权)人: 上海安费诺永亿通讯电子有限公司
主分类号: B23K1/008 分类号: B23K1/008;H05K3/34
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电子元器件 焊接 方法
【说明书】:

技术领域

    本发明涉及电子元器件的表面贴装工艺,具体的就是将电子元器件焊接在PCB,塑胶主体或是其他一些载体上。 

背景技术

普通的表面贴装工艺多为在FPC或是PCB表面通过预加锡膏以及通过回流焊接炉制程将锡膏熔化,从而达到将元器件焊接/贴装在FPC或PCB上的目的。但是随着技术的发展,元器件的焊接已经不仅仅限于FPC&PCB这些平整的平面上,如附图一所示,因为产品设计的需要,元器件越来越多的被要求焊接在一些异形(非平整)面上。如附图一所示的在凹坑内焊接电子元气件,现有工艺遇到的主要技术瓶颈是: 

1. 因为是异形面,而非平整面。所以传统的网板刷锡膏工艺已经不适用,只能采用点锡膏的方式,比如说用自动点锡膏机器点锡膏。但是点锡膏制程的锡膏量以及锡膏的高度差异性较大,其锡膏形状和高度的一致性无法与网板刷锡膏工艺相比,所以因为元器件两端的锡膏量不一致,过回流焊接炉后,因元气件受力不均,极易造成元器件的偏移,立碑等不良。不良现象可参考附图二和附图三。

2. 因为元器件在凹坑内,考虑到凹坑内空间较平面结构更难受热。所以为了保证凹坑内的温度,不可避免的需要增大回流焊接炉炉内的风速。这样一来增大了元器件被风吹而移动的不良比率,风速的影响对0201这样微型尺寸的元气件的影响更为明显。 

    载体的凹坑结构,在加上锡膏收到元器件的遮挡。使锡膏本身的受热很困难,产品易出现冷焊,虚焊等不良。 

发明内容

为了克服现有技术的缺陷,本发明提供一种电子元器件焊接方法,其包括以下步骤: 

首先,在需要焊接元器件的载体位置处做凹坑结构处理得到一与所述元器件结构匹配的凹坑;

然后,将元器件放置于凹坑内,再将锡膏涂在元器件顶部及元器件与凹坑侧壁之间;

对锡膏加热,锡膏吸收热量固化完成焊接。

较佳地,所述凹坑的容积大于所述元器件的体积。 

较佳地,其通过回流焊接炉对所述锡膏加热。 

较佳地,所述载体包括PCB、塑胶主体。 

较佳地,所述载体表面为异形面。 

与现有技术相比,本发明的有益效果如下: 

本发明在载体上做凹坑结构,这在元器件放入其中后因为结构的限制就避免了偏移和立碑等的不良影响;锡膏没有了元器件的遮挡,更易吸收热量而熔化达到焊接的效果;本发明采用顶部焊接,很方便产线操作员去检测判断焊接的质量。

当然,实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。 

附图说明

图1为现有技术正常焊接示意图; 

图2为现有技术造成元器件偏移示意图;

图3为现有技术造成元器件立柱示意图;

图4为本发明实施例提供的凹坑结构示意图;

图5为现有技术焊接方式示意图;

图6为本发明实施例提供的元器件焊盘预焊区域示意图;

图7为本发明实施例提供的焊接方式示意图。

  

具体实施方式

本发明提供了一种电子元器件1焊接方法,其主要设计思想为: 

    元器件1焊接的对应的载体2部分做沉入式设计,即在载体2上做凹坑结构,如附图四所示。这在元器件1放入其中后因为结构的限制就避免的偏移和立碑等的不良;

    电子元器件1的焊接通常是将元器件1的底部与载体2焊接,如附图五所示。但是这里我们创新的采用的将元气件的顶面以及侧面与载体2焊接的方式,对元器件1本身来讲,其两端的是各有5个面可能用来焊接的,如附图六所示。所以元器件1本身的顶部以及侧面焊接是没有问题的。通过顶部以及侧面焊接,锡膏3是预加在元气件的顶部以及侧面的,这样一来,相对于底部焊接来讲,锡膏3没有了元器件1的遮挡,直接与炉内高温空气接触。更易吸收热量而熔化达到焊接的效果,如附图七所示;

    普通的元器件1的底部焊接,因为视线受到遮挡,SMT后很难检查元器件1焊锡的质量,冷焊,虚焊等不良一直是困扰SMT的检验难题。但是本创新因为是在顶部焊接,很方便产线操作员去检测判断焊接的质量,大大过滤了产品的焊接缺陷。

实施例

一种电子元器件1焊接方法,其包括以下步骤: 

首先,在需要焊接元器件1的载体2位置处做凹坑结构处理得到一与所述元器件1结构匹配的凹坑;

然后,将元器件1放置于凹坑内,再将锡膏3涂在元器件1顶部及元器件1与凹坑侧壁之间;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海安费诺永亿通讯电子有限公司,未经上海安费诺永亿通讯电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310106732.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top