[发明专利]具有散热结构及电磁干扰屏蔽的半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一基板，具有一接地元件；

一半导体芯片，设于该基板上，且具有数个焊垫；

一封装体，包覆该半导体芯片；

一凹部，形成于该封装体中并露出该半导体芯片的一上表面的至少一部分；

一电性连接件，设于至少二该焊垫之间的该凹部内，其中该电性连接件超过该半导体芯片的一侧边；以及

一导电层，设于该封装体的一外表面上，其中该导电层直接接触该电性连接件与该接地元件；

其中，该电性连接件与该导电层的一组合提供半导体封装件散热及电磁干扰的屏蔽。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该电性连接件直接接触该半导体芯片的该上表面。

3.如权利要求2所述的半导体封装件，其中一散热路径直接从该半导体芯片延伸至该电性连接件，且直接从该电性连接件至该导电层。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该凹部增加该封装件对应于一最差电磁干扰屏蔽效果的一共振频率，使该共振频率超过该半导体芯片的一操作频率。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该导电层直接接触该半导体芯片的该上表面。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该凹部包括数个子凹部，所述子凹部与该半导体芯片的该上表面隔离。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该接地元件未延伸经过该基板。

8.如权利要求2所述的半导体封装件，其中该接地元件包括具有一侧壁的一部分导通孔，该侧壁从该基板露出。

9.一种半导体封装件，包括：

一基板，具有一接地元件；

一半导体芯片，设于该基板上，且具有数个焊垫；

一封装体，包覆该半导体芯片；

一凹部，形成于该封装体中且露出该半导体芯片的一上表面的至少一部分的；以及

一元件，耦接至该半导体芯片的该上表面及该封装体，且提供该半导体封装件散热及电磁干扰屏蔽的功能。

10.如权利要求9所述的半导体封装件，其中该元件包括一凹部、一电性连接件及一全覆盖屏蔽件，该凹部形成于该封装体且位于该半导体芯片上方，该电性连接件设于该凹部内，该全覆盖屏蔽件位于该电性连接件上方。

11.如权利要求10所述的半导体封装件，其中一散热路径直接从该半导体芯片延伸至该电性连接件，且直接从该电性连接件至该导电层。

12.如权利要求10所述的半导体封装件，其中该凹部增加该封装件对应于一最差电磁干扰屏蔽效果的一共振频率，使该共振频率超过该半导体芯片的一操作频率。

13.如权利要求9所述的半导体封装件，其中该元件包括一全覆盖屏蔽件及一填充物，该全覆盖屏蔽件覆盖该封装体的一外表面及从该凹部露出的该半导体芯片的该上表面，该填充物与该全覆盖屏蔽件位于该凹部内，该全覆盖屏蔽件设于该填充部与该半导体芯片的该上表面之间。

14.如权利要求13所述的半导体封装件，其中一热路径从该半导体芯片直接延伸至该电性连接件，且从该电性连接件直接延伸至该导电层。

15.如权利要求13所述的半导体封装件，其中该凹部增加该封装件对应于一最差电磁干扰屏蔽效果的一共振频率，使该共振频率超过该半导体芯片的一操作频率。

16.如权利要求9所述的半导体封装件，其中该元件包括一电性连接件及一全覆盖屏蔽件，该电性连接件覆盖该半导体芯片的该上表面及该封装体的一上表面，该全覆盖屏蔽件覆盖该电性连接件及该封装体。

17.如权利要求9所述的半导体封装件，其中该接地元件包括具有一侧壁的一部分导通孔，该侧壁从该基板露出。

18.一种半导体封装件的制造方法，包括：

设置一半导体芯片于一基板，其中该半导体芯片具有一侧面及一上表面，且该基板包括一接地元件；

形成一封装体包覆该半导体芯片的该侧面，其中该封装体定义一露出该半导体芯片的该上表面的凹部；

切割该封装体、该基板及该接地元件，以露出该接地元件的一侧壁；以及

形成一导电层覆盖该封装体的一外表面及从该凹部露出的该半导体芯片的该上表面，且接触露出的该接地元件。