[发明专利]一种晶硅太阳能电池叠层钝化的方法无效
申请号: | 201310108913.0 | 申请日: | 2013-04-01 |
公开(公告)号: | CN104091853A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 李士会 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
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地址: | 101111 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 钝化 方法 | ||
1.一种晶硅太阳能电池叠层钝化工艺,其特征在于:利用湿法氧化的方式在硅片表面形成一定厚度的二氧化硅,之后进行氮化硅膜层沉积。
2.如权力要求1所述的方法,其特征在于:氧化用溶液为硝酸及双氧水。
3.按照权力要求1所述的晶硅太阳能电池叠层钝化工艺,其特征在于:在氧化后的硅片表面直接沉积氮化硅膜,实现双层钝化。
4.按照权力要求1所述的晶硅太阳能电池叠层钝化工艺,其特征在于:二氧化硅厚度小于5~15纳米,氮化硅厚度65-80纳米。
5.如权力要求1所述的多晶硅太阳能电池叠层钝化工艺,其特征在于:叠层氮化硅的折射率自下而上渐进式降低,并且是连续的。
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