[发明专利]一种晶硅太阳能电池叠层钝化的方法

说明书

技术领域

本发明设计一种晶体硅太阳能电池叠层钝化，属于新能源、半导体光电子等技术领域。

背景技术

等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备氢化非晶氮化硅现已经成为工业太阳能电池标准工艺中的一道工序，其主要存在三个方面的优势：作为减反射膜，钝化太阳能电池表面从而降低表面复合速度；薄膜中丰富的氢可以钝化体内的缺陷态。氮化硅膜层不仅减缓浆料中玻璃体对硅的腐蚀，抑制银的扩散速度，从而使后续快烧工艺温度更容易调节，而且致密的氮化硅膜层是有害杂质的良好阻挡层，同时生成的氢原子对硅片具有表面钝化与体钝化的双重作用，可以很好地修复硅中的位错、表面悬挂键，提高了硅片中载流子的迁移率因而成为制作高效电池的关键技术。然而，相比与氮化硅膜，适当厚度的二氧化硅具有更佳的钝化效果。常规二氧化硅生成方法一般通过高温氧化炉进行氧化，但干氧条件下二氧化硅生成速度慢，需要较长的时间，而且长时间的高温过程会导致扩散形成的PN结表面浓度和结深发生改变，使得结深增加，表面浓度降低，从而对太阳能电池效率产生了不利影响。。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足，而提供一种晶硅太阳能电池叠层钝化工艺，以制作高效、低成本多晶硅太阳能电池。

为了实现上述目的，本发明的技术方案是，包括以下步骤：

(1)、选用纯度不小于99.999％的P型多晶硅片为基片，其电阻率为0.5-3Ω.cm，厚度范围为180-220微米。

(2)、采用HF、HNO3及水的混合溶液在多晶硅片表面制备凹坑状绒面；

(3)、将制备绒面后的多晶硅硅片放入高温扩散炉，实现磷掺杂，形成PN结，表面方块电阻范围为60-65Ω/◇；

(4)、将高温扩散后的硅片放入等离子体刻蚀机，去除扩散工艺过程中侧面形成的PN结；

(5)、将硅片放入HF酸及水的混合溶液，去除硅片表面的磷硅玻璃层；

(6)将去除磷硅玻璃后的硅片放入HNO3及H2O2的混合溶液，在硅片两个表面氧化生长一定厚度的二氧化硅。

(6)、采用PECVD设备在P型多晶硅硅片的掺杂层上沉积略低于常规膜厚的Si3N4膜；

(7)、采用丝网印刷工艺制作背银电极、铝背场和正银电极，并进行高温烧结。

本发明的优点在于：

1)、通过湿法氧化方式生长二氧化硅膜，不引入新型设备，不引入高温过程，有效降低成本；

2)、二氧化硅形成选用常规的HNO3及H2O2，可以集成入磷硅玻璃清洗，工艺升级快速简单，不需进行设备和控制软件的升级和改造；

3)、生长的二氧化硅除了具有较好的钝化效果，还充当减反射膜的作用，因此沉积氮化硅减反射膜的膜厚可适当降低，所需的工艺时间缩短，增大了产能，降低了生产成本；

4)、沉积在硅片背表面的二氧化硅降低了背场界面态密度，也对被表面具有较好的钝化效果。故而该工艺简单、成本低廉。采用该专利技术制备的多晶硅太阳能电池光电转换效率大于16.6％。

附图说明

图1图1所示为发明的工艺流程图；

具体实施方式

为了更好地理解本发明，下面用具体实例来详细说明本发明的技术方案，但是本发明并不局限于此。

本发明的一种晶硅太阳能电池叠层钝化工艺，在完成硅片表面绒面制备、高温扩散制结、等离子刻蚀及磷硅玻璃清洗等工艺步骤后，将硅片置于HNO3及H2O2的混合溶液中，利用混合溶液的强氧化性，在硅片两面形成二氧化硅层。

具体步骤为：

1)硅片绒面制备步骤：采用氢氟酸及硝酸的混合溶液，按照HNO3∶HF∶H2O＝3∶1∶2.5的比例，在0-3℃温度下，腐蚀90-120秒，在硅片表面腐蚀出凹坑状绒面结构。

2)高温扩散制结步骤：将上述处理后的硅片放入高温扩散炉，在850-900℃温度下，以氮气携源的放入送入一定流量的包含三氯氧磷蒸汽的氮气，同时通入足量氧气，维持30-60分钟，制作出N型发射极，扩散后方块电阻50-60Ω/◇。

3)等离子体刻蚀：利用电感耦合式刻蚀机，通入适量四氟化碳及氧气，刻蚀去除硅片厚度方向在扩散过程中形成的边缘PN结。

4)去磷硅玻璃清洗：将刻蚀完成后的硅片放入10％的氧氟酸溶液，停留120-300秒，将硅片表面的磷硅玻璃层去除。

5)二氧化硅氧化层制作：将上述处理后的硅片放入同等体积的硝酸与双氧水混合溶液中，温度为室温，氧化时间5-15分钟。