[发明专利]半导体集成电路及其设计方法

权利要求书

1.一种设计半导体集成电路的方法，所述方法包括步骤：

从布局数据库提供先前创建的半导体集成电路的布局，所述布局包括彼此相邻布置的多个单元,所述多个单元中的每一个指示半导体集成电路中的多个半导体器件；

创建对所述半导体集成电路中的多个半导体器件当中的至少一个半导体器件作出指示的标记层，其中，所述至少一个半导体器件将在宽度、高度及其与所述半导体集成电路中的多个半导体器件当中的相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生改变，并且其中，所述标记层基于所述半导体集成电路中的多个半导体器件当中的所述至少一个半导体器件的特性的改变；以及

通过将所述标记层应用到所述布局中的所述多个单元中的所选单元来生成所述半导体集成电路的新的库，所述新的库指示所述半导体集成电路中的多个半导体器件当中的在宽度、高度和与所述半导体集成电路中的相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生了改变的所述至少一个半导体器件，

其中，所述标记层指示出以下中的至少一个：所述至少一个半导体器件的边界；以及包括了所述至少一个半导体器件的单元的边界。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个半导体器件的特性的改变是所述至少一个半导体器件的电特性和热特性的至少其中之一的改变。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所创建的新的库，即使当所述至少一个半导体器件的宽度发生改变时，所述多个半导体器件也具有恒定的管脚间距。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述标记层的创建步骤包括以下步骤的至少其中之一：

创建对所述半导体集成电路中的多个半导体器件当中的所述至少一个半导体器件作出指示的第一标记层；以及

创建对包括了所述半导体集成电路中的多个半导体器件当中的所述至少一个半导体器件的单元作出指示的第二标记层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二标记层的创建步骤包括：创建指示出所述单元的边界的第二标记层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述至少一个半导体器件包括鳍式场效应晶体管；

所述鳍式场效应晶体管包括多个有源鳍；并且

所述标记层的创建步骤包括：创建对所述多个有源鳍当中的宽度将被改变的至少一个有源鳍作出指示的标记层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述标记层的创建步骤包括以下步骤的至少其中之一：

创建对所述至少一个有源鳍作出指示的第一标记层；以及

创建对包括了所述至少一个有源鳍的单元作出指示的第二标记层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，根据所创建的新的库，即使当所述至少一个有源鳍的宽度发生改变时，所述多个有源鳍也具有恒定的管脚间距。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述至少一个半导体器件包括鳍式场效应晶体管；并且

所述鳍式场效应晶体管包括单个有源鳍。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述半导体集成电路中的多个半导体器件包括多个鳍式晶体管；并且

所述多个鳍式晶体管具有不同的阈值电压。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述标记层的创建步骤包括：基于所述不同的阈值电压，创建对多个鳍式晶体管当中的宽度将被改变的至少一个鳍式晶体管作出指示的标记层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述标记层的创建步骤包括以下步骤的至少其中之一：

创建对所述多个鳍式晶体管当中的所述至少一个鳍式晶体管作出指示的第一标记层；以及

创建对包括了所述至少一个鳍式晶体管的单元作出指示的第二标记层。