[发明专利]半导体集成电路及其设计方法

说明书

公开了一种半导体集成电路及其设计方法。根据本发明思想的示例性实施例，设计半导体集成电路的方法包括：创建对多个半导体器件当中的至少一个半导体器件作出指示的标记层，所述至少一个半导体器件将在宽度、高度及其与相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生改变；以及将标记层应用到先前创建的布局，以便生成在宽度、高度和与相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生了改变的所述至少一个半导体器件的新的库。标记层可以是基于所述多个半导体器件当中的所述至少一个半导体器件的特性的改变。

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年3月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0033345号的优先权，其公开内容被全文合并在此以作参考。

技术领域

本发明思想的示例性实施例涉及半导体集成电路，更具体来说涉及一种半导体集成电路和/或其设计方法。

背景技术

半导体集成电路（IC）设计是将描述了半导体系统的期望操作的芯片行为模型转换成描述了半导体系统的主要元件之间的连接的具体结构模型的处理。在这样的半导体IC设计中，在时间方面以及在降低半导体IC设计和实施成本方面，对于将被包括在半导体IC中的单元库的处理生成和使用会是有利的。

发明内容

本发明思想的示例性实施例涉及一种半导体集成电路（IC）设计方法，其中随着半导体器件的特性的改变，可以在不创建新布局的情况下快速创建新的库。

本发明思想的示例性实施例涉及一种半导体IC设计方法，其中随着鳍式场效应晶体管（鳍式FET）的特性的改变，可以在不改变布局的情况下快速创建新的库。

本发明思想的示例性实施例涉及一种可以利用新的库来制造的半导体IC，其中即使半导体器件的特性改变，也可以在不创建新布局的情况下快速创建所述新的库。

本发明思想的示例性实施例涉及一种可以利用新的库来制造的半导体IC，其中即使鳍式FET的特性改变，也可以在不创建新布局的情况下快速创建所述新的库。

本发明思想的示例性实施例涉及一种用于执行半导体IC设计方法的计算机可读记录介质，其中随着半导体器件的特性的改变，可以在不创建新布局的情况下快速创建新的库。

本发明思想的示例性实施例涉及一种被配置成存储新的库的存储介质，其中即使半导体器件的特性改变，也可以在不创建新布局的情况下快速创建所述新的库。

本发明思想的示例性实施例涉及一种用于设计半导体IC的设备，其中即使半导体器件的特性改变，也可以在不创建新布局的情况下快速创建新的库。

根据本发明思想的示例性实施例，一种设计半导体集成电路的方法包括步骤：创建对多个半导体器件当中的至少一个半导体器件作出指示的标记层，其中所述至少一个半导体器件将在宽度、高度及其与所述多个半导体器件当中的一个相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生改变；以及将标记层应用到先前创建的布局，以便生成在宽度、高度和与相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生了改变的所述至少一个半导体器件的新的库。标记层可以基于所述多个半导体器件当中的所述至少一个半导体器件的特性的改变。

所述至少一个半导体器件的特性的改变可以是所述多个半导体器件当中的所述至少一个半导体器件的电特性和热特性的至少一个的改变。

根据所创建的新的库，即使当所述至少一个半导体器件的宽度发生改变时，所述多个半导体器件也可以具有恒定的管脚间距。

标记层的创建步骤可以包括以下步骤的至少一个：创建对所述至少一个半导体器件作出指示的第一标记层；以及创建对包括了所述至少一个半导体器件的单元作出指示的第二标记层。第二标记层的创建步骤可以包括：创建指示出所述单元的边界的第二标记层。