[发明专利]一种基于PD SOI 的二极管辅助触发ESD 保护电路

权利要求书

1.一种基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，其特征在于，包括隔离氧化层和栅极，栅极为条形栅结构，由栅极氧化层上生长多晶硅poly层组成；栅极一侧为漏区，栅极另一侧为源区；

漏区包括N+注入和P+注入，P+注入设在漏区边侧和中间，P+注入区域不引出，漏区P+注入区域覆盖有SAB层；P+注入之间为N+注入，N+注入穿通漏区的隔离氧化层；并对漏区N+和P+注入区域靠近栅极端覆盖SAB层；

源区包括连接形成体接触的N+注入和P+注入，N+注入和P+注入相互间隔，其中源区两侧为N+注入，P+注入位置与漏区的N+注入的中间位置对齐，N+注入深度为隔离氧化层的1/3～1/2，P+注入与N+注入的宽度比为1:10～1:5。

2.如权利要求1所述的基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，其特征在于，所述的隔离氧化层为SiO₂层，隔离氧化层还包覆外周。

3.如权利要求1所述的基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，其特征在于，所述的漏区SAB层将漏区P+注入覆盖，同时将N+注入和P+注入靠近栅极的部分进行覆盖，以形成镇流电阻；SAB层的宽度为1μm～5μm。

4.如权利要求1所述的基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，其特征在于，所述的漏区的P+注入和N+注入形成P+N+二极管，辅助寄生的NPN管导通进行电流泄放，N+注入和P+注入的间距根据所需开启电压的大小进行调节。

5.如权利要求1所述的基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，其特征在于，所述的漏区的P+注入的宽度为0.5μm～3μm。

6.如权利要求1所述的基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，其特征在于，所述的源区的N+注入和P+注入在进行硅化物工艺时短接在一起以形成体接触。