[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201310110207.X | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104078350A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 孟令款 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：
在衬底上形成多个鳍片以及鳍片之间的多个沟槽；
在沟槽中填充绝缘介质；
采用包含碳氟基气体的刻蚀气体，等离子体干法刻蚀绝缘介质至预定厚度，以露出鳍片的部分侧壁。
2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，衬底包括硅。
3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，绝缘介质包括氧化硅基材料、或氮化硅基材料。
4.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，碳氟基气体包括CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C4F6、C4F8及其组合。
5.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，刻蚀气体还包括氧化性气体。
6.如权利要求5的半导体器件制造方法，其中，氧化性气体包括CO、O2及其组合。
7.如权利要求1的半导体器件制造方法，在填充绝缘介质之前，还包括在鳍片顶部形成硬掩模。
8.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，硬掩模与绝缘介质材料可以相同或不同。
9.如权利要求1或7的半导体器件制造方法，其中，填充绝缘介质之后，进一步包括平坦化绝缘介质直至暴露硬掩模或者鳍片顶部。
10.如权利要求9的半导体器件制造方法，其中，采用CMP或者等离子体回刻工艺来进行平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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