[发明专利]具有散热结构的半导体封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体封装结构及其制造方法，详言之，关于具有散热片的半导体封装结构及其制造方法

背景技术

扁平无接脚封装结构(Flat No leads packages)，例如四边扁平无接脚(Quad Flat No leads，QFN)封装结构，操作上耦合集成电路至印刷电路板。传统四边扁平无接脚(QFN)封装结构包含一半导体芯片(Semiconductor Chip)、该芯片所在的一芯片承座(Die Pad)、数个条接合导线(Bonding Wires)、数个引脚(Leads)及一封装体(Package Body)。该等接合导线电性连接该芯片至该等引脚的上表面。该等引脚的下表面显露于该封装体之外且作为该四边扁平无接脚(QFN)封装结构的外部接点。该等引脚大致上排列成一周围阵列(Perimeter Array)而围绕该芯片，以增加引脚密度。然而，该芯片被该封装体所包覆，该封装体通常为不易导热的材料。但是，该芯片在运作时会产生热，且这些热必须被排除掉，以避免降低该芯片的效能。因此，对传统四边扁平无接脚(QFN)封装结构而言，散热是一项重要的课题。

发明内容

本发明的一实施例包括一种半导体封装结构，其包含一芯片承座及至少一连接杆，该连接杆从该芯片承座向外延伸。至少一支撑部从该至少一连接杆延伸至一与该芯片承座间隔的位置，且包含一上表面，其高于该芯片承座的一上表面。数个引脚围绕该芯片承座，彼此电性绝缘，且与该芯片承座电性绝缘。一半导体芯片位于该芯片承座上，且电性连接至该等引脚。一散热片附着至该至少一支撑部的上表面。一封胶材料封装该半导体芯片、该散热片的至少一部份、该芯片承座的至少一部份、该连接杆的至少一部份、该支撑部的至少一部份及每一该等引脚的至少一部份。

本发明的另一实施例包括一种半导体封装结构，其包含一芯片承座及至少一连接杆，该连接杆从该芯片承座向外延伸。至少一支撑部从该至少一连接杆延伸，且位于与该芯片承座间隔的一末梢端。数个引脚围绕该芯片承座，彼此电性绝缘，且与该芯片承座电性绝缘。一半导体芯片位于该芯片承座上，且电性连接至该等引脚。一散热片附着至该至少一支撑部的上表面。该散热片包含一主体及至少一支脚。一封胶材料封装该半导体芯片、该散热片的至少一部份、该芯片承座的至少一部份、该连接杆的至少一部份、该支撑部的至少一部份及每一该等引脚的至少一部份。该半导体芯片的散热路径包括从该芯片承座经由该至少一连接杆，经由该至少一支撑部，经由该至少一支脚，及经由该主体。

本发明的另一实施例包括一种半导体封装结构的制造方法。该方法包括提供一金属板，其包含一基材、一中心突部、数个周围突部、数个支撑突部、一第一金属层及一第二金属层。该基材具有数个连接部，连接该中心突部及该等支撑突部。该中心突部具有一上表面且从该基材向上延伸以定义出一空腔。每一该等周围突部具有一上表面且从该基材向上延伸，且围绕该中心突部。每一该等支撑突部具有一上表面且从该基材向上延伸，且围绕该中心突部。该第一金属层位于该中心突部的上表面、该等周围突部的上表面及该等支撑突部的上表面。该第二金属层形成于该金属板的下表面，且位于该空腔、该中心突部、该等连接部、该等支撑突部及该等周围突部的下方。该方法更包括固设一半导体芯片于该空腔中。该方法更包括电性连接该半导体芯片至该等周围突部。该方法更包括固设一散热片至该金属板。该散热片包含一主体及数个支脚。该主体位于该半导体芯片上方，且该等支脚从该主体延伸且被该等支撑突部所支撑。该方法更包括形成一封胶材料于该金属板上，以包覆该半导体芯片、该散热片、该中心突部、该等周围突部、该等支撑突部及该第一金属层。该方法更包括蚀刻该金属板的下表面，以形成一芯片承座、数个连接杆、数个支撑部及数个引脚。该等连接杆连接该芯片承座及该等支撑部，且该等引脚围绕该芯片承座，彼此电性绝缘，且与该芯片承座电性绝缘。

附图说明

图1显示本发明半导体封装结构的一实施例的俯视示意图；

图2显示图1中沿着线2-2的剖视示意图；

图3显示图1的半导体封装结构的仰视示意图；及

图4至17显示本发明半导体封装结构的制造方法的一实施例的步骤示意图。

具体实施方式