[发明专利]一种降低失调电压影响的带隙基准电压电路

说明书

技术领域

本发明涉及带隙基准电路，尤其是一种降低失调电压影响的带隙基准电压电路，属于双极型晶体管（BJT）以及金属氧化物半导体（MOS）晶体管集成电路技术领域。

背景技术

现有技术中存在一种如图1所示的传统带隙基准电压电路，设有PNP三极管Q1、Q2和Q3、运算放大器OP、电阻R1和R2、PMOS管M1、M2和M3；PNP三极管Q1、Q2和Q3的基极和集电极均接地，PNP三极管Q1的发射极通过电阻R1连接放大器OP的同相输入端和PMOS管M1的漏极（节点A），PNP三极管Q2的发射极连接放大器OP的反相输入端和PMOS管M2的漏极(节点B)，运算放大器OP的输出端与PMOS管M1、M2、M3的栅极连接，PMOS管M1、M2、M3的源极和衬底均连接电源VDD，PNP三极管Q3的发射极通过电阻R2连接PMOS管M3的漏极(节点C)并作为输出端输出基准电压V_ref。

图1工作原理如下：宽长比相同的PMOS管M1，M2和M3构成等比例电流镜，使流过三极管Q1，Q2和Q3的支路电流相等，即I_Q1=I_Q2=I_Q3。三极管Q2的基极-发射极电压为：

VBE2=VTln(IQ2IS0)]]>   （公式1）

其中，V_T为热电压，在常温下约为26mv，I_S0为三极管Q2的饱和电流并且其值与三极管的发射极面积成正比。三极管的基极-发射极电压V_BE为CTAT（负温度系数）电压，在常温下，当V_BE≈750mV时，三极管Q1的基极-发射极电压为：

VBE1=VTln(IQ1NIS0)]]>   （公式2）

其中，N为三极管Q1和Q2发射极面积的比例，为了使三极管Q1和Q2的匹配性较好，N值通常取8。运算运算放大器OP工作于深度负反馈，使同向输入端和反向输入端节点A和B的电压相等，则电阻R1上的压降为：