[发明专利]蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法

权利要求书

1.一种蒸发源组件，用于向一基板上蒸镀薄膜，该蒸发源组件包括：

本体，该本体包括包围一空腔的顶部构件、底部构件及侧壁，该底部构件设置有与该空腔连通的多个输入口；

多个喷嘴，设置于该顶部构件上并与该空腔连通；

多个蒸发器，每个蒸发器设置于该本体下方且对应一个输入口，每个该蒸发器包括开口部，该蒸发器通过该开口部与相应的输入口连通，该蒸发器用于容置并蒸发待蒸镀材料；

多个连接管，用于分别连接该蒸发器的开口部与该本体的输入口，该连接管为上宽下窄的锥形管，用以加速蒸镀材料的蒸气在本体间的气氛平衡。

2.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，该蒸发器是坩埚。

3.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，该蒸发源组件是多点线性蒸发源组件，且该本体呈长条状。

4.如权利要求1所述的蒸发源组件，还包括加热装置，设置于该蒸发器的底部或四周，用于加热该蒸发器。

5.如权利要求4所述的蒸发源组件，其中，该加热装置为独立加热装置，用以将各蒸发器加热到相同或不同的温度。

6.如权利要求5所述的蒸发源组件，其中，设置在该本体两侧的被加热装置加热的蒸发器的温度比设置在该本体中心附近的被加热装置加热的蒸发器的温度高。

7.如权利要求4所述的蒸发源组件，其中，该热装置为温度补偿装置。

8.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，该本体的长度小于基板的长度。

9.如权利要求8所述的蒸发源组件，其中，该本体的长度为该基板的长度的1/2～4/5。

10.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，该喷嘴为独立设置于该顶部构件中的喷嘴管或为形成于该顶部构件中的通孔。

11.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，该顶部构件与该侧壁为一体结构或为分体结构。

12.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，位于顶部构件中部的喷嘴，其轴线与顶部构件表面的夹角θ为90度。

13.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，位于该顶部构件两侧的喷嘴，其轴线与壳体表面的夹角θ小于90度且向顶部构件两侧的方向倾斜。

14.如权利要求13所述的蒸发源组件，其中，随着远离顶部构件中部，该喷嘴的轴线与顶部构件表面的夹角θ逐渐减小。

15.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，随着远离顶部构件中部，该多个喷嘴直径增大。

16.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，随着远离顶部构件中部，该多个喷嘴的排列密度增大。

17.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，该多个喷嘴的喷嘴口为共线排列或交错排列。

18.如权利要求1所述的蒸发源组件，其中，该本体和连接管由白铁或钛材料制成。

19.如权利要求1所述的蒸发源组件，还包括：

三通阀门，具有三个接口，第一接口连通该蒸发器，第二接口连通该本体的空腔；

排气管，一端连通于该三通阀门的第三接口；

集气箱，连通于该排气管的另一端部，

其中当该蒸发源组件工作时，该第一接口、第二接口打开，第三接口关闭；当该蒸发源组件停止工作时，该第一接口、第二接口关闭，第三接口打开。

20.一种薄膜沉积装置，包括一真空腔室和设置于真空腔室内的如权利要求1至19中任一项所述的蒸发源组件。

21.一种薄膜沉积方法，该方法利用如权利要求1所述的蒸发源组件在基板上沉积薄膜，该方法包括：

加热设置于真空腔室的多个蒸发器，使容置于蒸发器的蒸镀材料蒸发，蒸镀材料的蒸气依次通过蒸发器的开口部、本体的输入口输送到本体的空腔中；

控制喷嘴，使该空腔中蒸镀材料的蒸气通过喷嘴沉积到位于本体上方的基板上。