[发明专利]蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种用于制作有机发光二极管的蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法。

背景技术

目前OLED组件制作上仍以热蒸镀为主，而不论是蒸镀源制作商或是用户都致力于蒸发源性能的提升，希望提高材料利用率，降低材料成本，并提升OLED组件的性能，例如蒸镀薄膜厚度均匀性等。

现有用于热蒸镀工艺的蒸发源种类主要包括点蒸发源、集群式线蒸发源、单点线性蒸发源和面蒸发源。其中点蒸发源包括一个放置蒸镀材料的坩埚，基板设于坩埚上方。使用该点蒸发源蒸镀薄膜时，材料利用率低，一般不足10%；薄膜均匀性差，一般均匀度小于10%，膜均匀度计算公式：（最大膜厚-最小膜厚）/（最大膜厚+最小膜厚）。集群式线蒸发源包括至少两个平行排列的长槽形坩埚，不同材料分别平铺于各长槽形坩埚的埚底，使用该集群式线蒸发源蒸镀薄膜，虽然膜均匀性好（小于5%），但材料利用率低（10%-20%）。面蒸发源包括面积与蒸镀目标面积相同或更大的本体蒸镀薄膜。使用该面蒸发源蒸镀薄膜，材料利用率好（大于40%），但薄膜均匀性不稳定（小于10%）。

如图1所示，传统的单点线型蒸发源包括长条形本体10，本体10内具有腔室，本体10顶部设置若干喷嘴12，本体10底部中央位置连通坩埚20。当向一基板30蒸镀薄膜时，坩埚20被加热装置（图中未示出）加热，坩埚20内的蒸镀材料受热而气化成蒸气进入本体10的腔室，经喷嘴12喷向基板30，在基板30的下表面镀上一层薄膜。

传统的单点线性蒸发源中，由于本体10呈长条形，坩埚20连接于本体10底部中央位置，因此进入腔室内的蒸气在邻近坩埚20的中央位置浓度较大，而在远离坩埚20中央的两侧位置浓度较小。即腔室内的饱和蒸气压不平衡，从而造成镀在基板30上的薄膜厚度不均匀，特别是基板30两侧薄膜厚度的均匀性更差。在制作大尺寸薄膜时，传统的单点线性蒸发源镀膜均匀性差的缺陷更加明显。

发明内容

为解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种蒸发源组件，用于向一基板上蒸镀薄膜，该蒸发源组件包括：本体，该本体包括包围一空腔的顶部构件、底部构件及侧壁，该底部构件设置有与该空腔连通的多个输入口；多个喷嘴，设置于该顶部构件上并与该空腔连通；多个蒸发器，每个蒸发器设置于该本体下方且对应一个输入口，每个该蒸发器包括开口部，该蒸发器通过该开口部与相应的输入口连通，该蒸发器用于容置并蒸发待蒸镀材料；多个连接管，用于分别连接该蒸发器的开口部与该本体的输入口，该连接管为上宽下窄的锥形管，用以加速蒸镀材料的蒸气在本体间的气氛平衡。

在一实施例中，该蒸发器是坩埚。

在一实施例中，该蒸发源组件是多点线性蒸发源组件，且该本体呈长条状。

在一实施例中，还包括加热装置，设置于该蒸发器的底部或四周，用于加热该蒸发器。

在一实施例中，该加热装置为独立加热装置，用以将各蒸发器加热到相同或不同的温度。

在一实施例中，设置在该本体两侧的被加热装置加热的蒸发器的温度比设置在该本体中心附近的被加热装置加热的蒸发器的温度高。

在一实施例中，该热装置为温度补偿装置。

在一实施例中，该本体的长度小于基板的长度。

在一实施例中，该本体的长度为该基板的长度的1/2～4/5。

在一实施例中，该喷嘴为独立设置于该顶部构件中的喷嘴管或为形成于该顶部构件中的通孔。

在一实施例中，该顶部构件与该侧壁为一体结构或为分体结构。

在一实施例中，位于顶部构件中部的喷嘴，其轴线与顶部构件表面的夹角θ为90度。

在一实施例中，位于该顶部构件两侧的喷嘴，其轴线与壳体表面的夹角θ小于90度且向顶部构件两侧的方向倾斜。

在一实施例中，随着远离顶部构件中部，该喷嘴的轴线与顶部构件表面的夹角θ逐渐减小。

在一实施例中，随着远离顶部构件中部，该多个喷嘴直径增大。

在一实施例中，随着远离顶部构件中部，该多个喷嘴的排列密度增大。

在一实施例中，该多个喷嘴的喷嘴口为共线排列或交错排列。

在一实施例中，该本体和连接管由白铁或钛材料制成。

在一实施例中，还包括：三通阀门，具有三个接口，第一接口连通该蒸发器，第二接口连通该本体的空腔；排气管，一端连通于该三通阀门的第三接口；集气箱，连通于该排气管的另一端部，其中当该蒸发源组件工作时，该第一接口、第二接口打开，第三接口关闭；当该蒸发源组件停止工作时，该第一接口、第二接口关闭，第三接口打开。