[发明专利]一种低熔点金属的气化镀膜方法有效
| 申请号： | 201310112484.4 | 申请日： | 2013-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103205715A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 谢振华 | 申请（专利权）人： | 谢振华 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 曾少丽 |
| 地址： | 214200 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 熔点 金属 气化 镀膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低熔点金属的气化镀膜方法，其特征在于是通过以下的步骤实现的：
（1）将镀层的低熔点金属放入金属熔化池中进行熔化，设置金属熔化池温度为250～850℃，至镀层低熔点金属沸腾后气化；
（2）将待镀金属通入与所述金属熔化池连通的加热炉，所述镀层金属气体进入加热炉自主附着在待镀金属表面上；
（3）电镀完成后具有镀层的金属通入冷却装置进行冷却。
2.如权利要求1所述的一种低熔点金属的气化电镀方法，其特征在于所述步骤（1）中的低熔点金属包括锡、铝。
3.如权利要求1所述的一种低熔点金属的气化镀膜方法，其特征在于所述步骤（1）中在金属熔化池和冷却装置中加入惰性气体或者还原性气体。
4.如权利要求1所述的一种低熔点金属的气化镀膜方法，其特征在于所述还惰性气体或者还原性气体为氢气或者氦气。
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