[发明专利]PMOS晶体管的制作方法与NMOS晶体管的制作方法有效

申请号：	201310113296.3	申请日：	2013-04-02
公开（公告）号：	CN104103515B	公开（公告）日：	2017-02-08
发明（设计）人：	李凤莲;倪景华	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司11227	代理人：	骆苏华
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	pmos 晶体管制作方法 nmos
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【权利要求书】：

1.一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供硅衬底，在所述硅衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括形成在硅衬底上的栅介质层及形成在所述栅介质层上的栅电极；

在所述栅极结构两侧形成侧墙；

以所述栅极结构及侧墙为掩膜，在硅衬底中预形成源极及漏极的区域自硅衬底表面向硅衬底内依次形成多个堆叠的sigma形凹槽；每下一sigma形凹槽以所述栅极结构及侧墙为掩膜，在上一sigma形凹槽底部的所述硅衬底中形成；形成所述下一sigma形凹槽时，之前形成的所有sigma形凹槽内具有流体有机材料层，且所述下一sigma形凹槽深入沟道中的尖端与所述述栅极结构的竖直边沿的距离大于上一sigma形凹槽深入沟道中的尖端与所述述栅极结构的竖直边沿的距离；

在所述多个堆叠的sigma形凹槽内填充硅锗材质以形成PMOS晶体管。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，多个堆叠的sigma形凹槽至少为两个sigma形凹槽堆叠。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述下一sigma形凹槽的形成工艺与所述上一sigma形凹槽的形成工艺相同。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极结构还包括形成在所述栅电极上的保护层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，开口暴露于硅衬底表面的sigma形凹槽为第一个sigma形凹槽，所述第一个sigma形凹槽的深入沟道中的尖端与所述述栅极结构的竖直边沿的距离范围为

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一个sigma形凹槽的深入沟道中的尖端距离所述硅衬底的表面的深度范围为

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一个sigma形凹槽的深度范围为

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，开口暴露于硅衬底表面的sigma形凹槽为第一个sigma形凹槽，第一个sigma形凹槽底部硅衬底内形成的下一sigma形凹槽为第二个sigma形凹槽，所述第二个sigma形凹槽深入沟道中的尖端与所述述栅极结构的竖直边沿的距离范围为

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第二个sigma形凹槽深入沟道中的尖端距离所述硅衬底的表面的深度范围为

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第二个sigma形凹槽与所述第一个sigma形凹槽形成的多个堆叠的sigma形凹槽的深度范围为

11.一种NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供硅衬底，在所述硅衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括形成在硅衬底上的栅介质层及形成在所述栅介质层上的栅电极；