[发明专利]将半导体芯片从箔拆下的方法有效
申请号: | 201310113448.X | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN103367136B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 恩斯特·巴尔梅特勒;费边·赫斯希勒;布莱恩·普利斯 | 申请(专利权)人: | 贝思瑞士股份公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 梁晓广,关兆辉 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 拆下 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种将半导体芯片从箔拆下的方法。
背景技术
半导体芯片通常被设置在由框架保持的箔上以用于在半导体安装装置上处理,在本领域中该箔也被称为胶带。半导体芯片粘在箔上。通过可移位的晶片台容纳具有箔的框架。该晶片台被移位,以在某一位置处依次提供半导体芯片,并且所提供的半导体芯片被芯片夹具拾取并且被循环地放置在基板上。由布置在箔下方的芯片排出器(在本领域被称为管芯排出器)支持从箔上移走所提供的半导体芯片的操作。
从US 7115482中获知从箔拆下半导体芯片的方法,其中使用具有彼此相邻设置的多个板的管芯排出器。板被一起提升以拆下半导体芯片并且然后从外部到内部被顺序地降低,或者从外部到内部顺序地被提升以形成突出超过支承平面的锥体隆起。也可以从CN 101740349A、US 2010-252205和US 8092645中获知这样的管芯排出器和方法。
发明内容
本发明基于进一步改进这样的拆卸方法的目标。
根据本发明,芯片夹具和包括具有直线支承边缘的第一板和具有L型支承边缘的第二板的管芯排出器被用于将半导体芯片从箔拆下。在初始位置,板的支承边缘形成箔搁置在其上的的支承平面。所述方法包括以下步骤:
A)提升所述板,使得板的支承边缘占据管芯排出器的盖板的表面上方的高度H1;
B)降低具有L型支承边缘的第一对板;
C)可选地,降低具有L型支承边缘的第二对板;
D)提升还未被降低的板,使得还没有被降低的板的支承边缘占据盖板的表面上方的高度H2>H1;
E)按照特定的顺序,交错降低还未被降低的板,并且至少一个或几个板未被降低;
F)可选地,降低至少还未被降低的板,使得还未被降低的板的支承边缘占据盖板的表面上方的高度H3<H2;
G)降低还未被降低的板直到所有的板都被降低,以及
H)移走具有半导体芯片的芯片夹具,
其中最迟在降低最后三个板之前,将芯片夹具定位在半导体芯片上方,并且降低所述芯片夹具直到它触及所述半导体芯片。
优选地,板被固定到载体,载体可垂直于盖板的表面移位,并且板可相对于载体被提升和降低。在初始位置,载体被设置在预定位置z0上,并且相对于载体提升板,使得板的支承边缘形成箔搁置在其上的支承平面。优选地,在步骤A中载体被提升预定距离Δz1,在步骤D中载体被提升预定距离Δz2,以及在可选的步骤F中载体被降低预定距离Δz3。
附图说明
被并入该说明书并构成该说明书的一部分的附图示出本发明的一个或更多个实施例,并且与具体说明一起用于解释本发明的原理和实施。附图不是真实的尺寸。
在附图中:
图1示出管芯排出器的侧视图和截面图;
图2以顶视图示出管芯排出器;
图3以透视图示出具有L型支承边缘的板;
图4示出管芯排出器的板的支承边缘的顶视图,并且
图5至图13示出拆卸过程的快照。
具体实施方式
图1示出具有主要从EP 2184765中获知的构造的管芯排出器1的侧视截面图。管芯排出器1包括封闭腔2,其可以被提供有真空并且包括优选可移动和可交换的盖板3,具有半导体芯片5的箔4的一部分搁置在该盖板3上。还可以由管芯排出器1的外壳或其部分形成腔2。盖板3还可以是盖子。盖板3包含在中部的矩形孔6并且优选地包含多个附加孔7,该矩形孔6大约和半导体芯片5一样大,所述多个附加孔7仅在图2中示出并且用于在腔2被提供有真空时吸取箔4。管芯排出器1还包括在腔2内部被相邻布置并且固定到载体9的多个板8。管芯排出器1包括第一驱动器10,该第一驱动器10用于使载体9垂直于盖板3的表面12,即在该情况下沿z方向移位。管芯排出器1包括第二驱动器11,该第二驱动器11用于使板8相对于载体9在垂直于盖板3的表面12的方向上移位。因此载体9和板8二者能够被相对于箔4的表面提升和降低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造