[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底表面的接地环；

位于半导体衬底表面的接地屏蔽结构，所述接地环包围所述接地屏蔽结构，所述接地屏蔽结构包括若干同心导电环、以及沿所述导电环的半径方向贯穿若干导电环的导电线，且所述导电线和接地环电连接，所述若干导电环均具有若干开口，且相邻导电环的开口交错设置；

位于所述半导体衬底、接地环和接地屏蔽结构表面的介质层，所述介质层包围所述接地环和接地屏蔽结构；

位于介质层表面的半导体器件。

2.如权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述导电环的开口数量为1～2个。

3.如权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述导电环为金属环。

4.如权利要求3所述半导体器件，其特征在于，还包括：位于半导体衬底表面的有源区环，所述有源区环的位置和形状与所述金属环对应，且所述有源区环和金属环之间通过介质层电隔离。

5.如权利要求4所述半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述有源区环和金属环之间的多晶硅环，所述多晶硅环的位置和形状与所述金属环对应，且所述的多晶硅环通过介质层与金属环和有源区环电隔离。

6.如权利要求4或5所述半导体器件，其特征在于，所述有源区环的材料为硅、锗、砷化镓或锗硅，且所述硅、锗、砷化镓或锗硅材料内具有掺杂离子，所述掺杂离子为p型离子或n型离子。

7.如权利要求6所述半导体器件，其特征在于，还包括：位于有源区环表面的金属硅化物层。

8.如权利要求3所述半导体器件，其特征在于，还包括：位于半导体衬底和金属环之间的多晶硅环，所述多晶硅环的位置和图形与所述金属环对应，且所述多晶硅环通过介质层与金属环和半导体衬底电隔离。

9.如权利要求5或8所述半导体器件，其特征在于，还包括：所述若干金属环与所述导电线连接的位置分别通过导电插塞与对应的多晶硅环电连接。

10.如权利要求3所述半导体器件，其特征在于，所述金属环为单层结构或多层堆叠结构。

11.如权利要求3所述半导体器件，其特征在于，所述金属环的材料为铜或铝。

12.如权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述接地环包括：接地有源区环和接地金属环，所述接地金属环与位于顶层的导电环处于同一层，所述接地有源区环位于所述接地金属环的正下方的半导体衬底表面，所述导电线与所述接地金属环连接，且所述导电线与接地金属环的连接处通导电插塞与接地有源区环连接。

13.如权利要求12所述半导体器件，其特征在于，所述接地有源区环的材料为硅、锗、砷化镓或锗硅，且所述硅、锗、砷化镓或锗硅材料内具有掺杂离子，所述掺杂离子为p型离子或n型离子；所述接地金属环的材料为铜或铝。

14.如权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述导电线为金属线，所述金属线的材料为铜或铝。

15.如权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述接地屏蔽结构中，每层同心导电环的数量为2～100个。

16.如权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述导电环的形状为三角形、正方形、圆形或八边形，所述导电环的宽度为0.1微米～100微米。

17.如权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为电感、变压器或巴伦。

18.如权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件投影于半导体衬底表面的图形位于所述接地屏蔽结构投影于半导体衬底表面的图形内。