[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该装置包含：

一半导体元件，具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面，该半导体元件包含：

一晶粒；

一第一线路层，设置于该半导体元件之第一表面上；以及

一第二线路层设置于该半导体元件之第二表面上；以及

一设置于该半导体元件上之导电孔，该导电孔自该第二表面延伸且电连接该第一线路层与第二线路层，其中该晶粒可透过该导电孔与另一半导体装置电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电孔穿过该晶粒。

3.如权利要求2所述的半导体装置，进一步包括一外接端子，设置于该第一及/或该第二线路层上。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电孔内进一步设置一导电材料。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该半导体元件进一步包含一封胶体邻接于该晶粒的部份表面。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该导电孔穿过该封胶体。

7.如权利要求6所述的半导体装置，进一步包括一外接端子，设置于该第一及/或该第二线路层上。

8.一种制造一半导体装置的方法，该方法包含：

提供一半导体元件，该元件具有一第一表面、与该第一表面相对的一第二表面，且该元件包含一晶粒、设置于该第一表面上的一第一线路层、以及设置于该第二表面上的一第二线路层；以及

形成一导电孔于该半导体元件中以电连接该晶粒与另一半导体装置，其中该导电孔自该第二表面延伸且电连接该第一线路层与该第二线路层，且该导电孔两端之孔径尺寸不同。

9.如权利要求8所述的方法，其中提供一半导体元件的步骤进一步包含：

形成至少一外接端子于该第一表面上；以及

粘附一干膜于该第一表面、该外接端子、以及该第一线路层上，以形成该半导体元件的一支持结构。

10.如权利要求8所述的方法，其中形成该导电孔的步骤包含：

利用激光钻孔形成该导电孔于该晶粒上；

置放一导电材料于该导电孔中；

置放至少一外接端子于该第二线路层上；以及

移除该干膜。

11.如权利要求10所述的方法，其中移除该干膜的步骤包含一蚀刻步骤或一撕除步骤。

12.如权利要求11所述的方法，其中该激光钻孔的步骤包含使用一紫外线激光钻孔模式、一紫外线激光扫瞄模式，或上述模式之组合。

13.如权利要求8所述的方法，进一步透过该半导体装置与另一半导体结构电连接以形成一三维堆迭结构。

14.如权利要求8所述的方法，其中提供一半导体元件的步骤进一步包含：

形成至少一外接端子于该第一表面上；

形成一封胶体邻接于该晶粒的部份表面；以及

粘附一干膜于该第一表面、该外接端子、以及该第一线路层上，以形成该半导体元件的一支持结构。

15.如权利要求8所述的方法，其中形成该导电孔的步骤包含：

利用激光钻孔形成该导电孔于该封胶体上；

置放一导电材料于该导电孔中；

置放至少一外接端子于该第二线路层上；以及

移除该干膜。

16.如权利要求15所述的方法，其中移除该干膜的步骤包含一蚀刻步骤或一撕除步骤。

17.如权利要求15所述的方法，其中该激光钻孔的步骤包含使用一紫外线激光钻孔模式、一紫外线激光扫瞄模式，或上述模式之组合。

18.如权利要求15所述的方法，进一步透过该半导体装置与另一半导体装置电连接形成一三维堆迭结构。

19.如权利要求8所述的方法，其中该置放一导电材料于该导电孔中的步骤更包含一回焊作业。