[发明专利]用于无接触数据传输的数据载体及其产生方法有效

专利信息
申请号: 201310114680.5 申请日: 2013-04-03
公开(公告)号: CN103366215A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: M.布希斯鲍姆;J.赫格尔;F.普施纳;S.兰佩茨赖特 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077;H01Q1/22;H01Q7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;卢江
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 接触 数据传输 数据 载体 及其 产生 方法
【权利要求书】:

1.一种用于无接触数据传输的数据载体,包括:

衬底;

芯片,具有至少一个连接垫,其中,所述芯片布置在所述衬底之上;

第一镀铜预浸料层,所述第一镀铜预浸料层布置在所述芯片和所述衬底之上并具有面向所述连接垫的接触开口;

镀通孔,处于所述接触开口内,用于在所述芯片的连接垫与所述第一镀铜预浸料层的铜层之间产生导电连接,其中,在所述第一镀铜预浸料层的铜层中形成第一天线结构;以及

第一电容结构,在所述第一镀铜预浸料层之上形成,所述第一电容结构电耦合至所述芯片。

2.根据权利要求1所述的数据载体,其中,所述第一天线结构是以具有至少一匝的线圈的形式形成的。

3.根据权利要求1所述的数据载体,其中,在衬底与芯片之间布置硬化元件。

4.根据权利要求3所述的数据载体,其中,所述硬化元件由金属组成。

5.根据权利要求1所述的数据载体,其中,所述数据载体具有第二天线结构并且所述第二天线结构耦合至所述芯片。

6.根据权利要求5所述的数据载体,其中,所述第二天线结构是具有至少一匝的线圈。

7.根据权利要求5所述的数据载体,其中,所述第二天线结构形成在所述衬底上施加的铜层中。

8.根据权利要求7所述的数据载体,其中,所述第二天线结构是以具有至少一匝的线圈的形式形成的。

9.根据权利要求5所述的数据载体,其中,所述第二天线结构布置在所述衬底的面向所述芯片的那一侧上。

10.根据权利要求5所述的数据载体,其中,所述第二天线结构布置在所述衬底的远离所述芯片的那一侧上。

11.根据权利要求5所述的数据载体,其中,所述第二天线结构布置在所述衬底的面向所述芯片的那一侧上以及布置在所述衬底的远离所述芯片的那一侧上。

12.根据权利要求5所述的数据载体,其中,所述芯片通过所述第一天线结构而电感耦合至所述第二天线结构。

13.根据权利要求5所述的数据载体,其中,所述芯片通过导电连接而耦合至所述第二天线结构。

14.根据权利要求1所述的数据载体,还包括:第二电容结构,在所述第二电容结构之上形成,所述第二电容结构电耦合至所述芯片。

15.根据权利要求1所述的数据载体,还包括夹层,其中,所述夹层布置在布置有芯片的衬底与所述第一镀铜预浸料层之间,其中,所述夹层具有用于在所述芯片的连接垫与所述第一镀铜预浸料层的铜层之间产生导电连接的镀通孔的接触开口。

16.根据权利要求1所述的数据载体,其中,所述第一电容结构包括预浸料层和电容器板。

17.根据权利要求15所述的数据载体,其中,所述夹层是预浸料层。

18.根据权利要求15所述的数据载体,其中,所述夹层是第二镀铜预浸料层。

19.一种用于产生用于无接触数据传输的数据载体的方法,包括:

将具有至少一个连接垫的芯片布置在衬底上;

将第一镀铜预浸料层层压在所述芯片之上并至少部分地层压在所述衬底之上;

将处于所述连接垫上方的接触开口引入到所述第一镀铜预浸料层中;

在所述芯片的连接垫与所述第一镀铜预浸料层的铜层之间产生镀通孔;

在所述第一镀铜预浸料层的铜层中形成第一天线结构;以及

在所述第一镀铜预浸料层之上形成第一电容结构,所述第一电容结构电耦合至所述芯片。

20.根据权利要求19所述的用于产生数据载体的方法,其中,在所述第一镀铜预浸料层的铜层中形成第一天线结构的过程在层压第一镀铜预浸料层的过程之前进行。

21.根据权利要求19所述的用于产生数据载体的方法,其中,在所述第一镀铜预浸料层的铜层中形成第一天线结构的过程在层压第一镀铜预浸料层的过程之后进行。

22.根据权利要求19所述的用于产生数据载体的方法,其中,所述衬底具有铜层,并且所述铜层是在施加所述芯片之前结构化的。

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