[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

形成在所述基板上的有源层；

形成在所述有源层上可导电的第一接触层和第二接触层；

形成在所述第一接触层和第二接触层上的刻蚀阻挡层；

形成在所述刻蚀阻挡层上与所述第一接触层相连的源极、与所述第二接触层相连的漏极，以及位于所述源极和漏极之间的栅极；以及

形成在所述源极、漏极和栅极上的保护层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一接触层和第二接触层镜像对称设置。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极与所述第一接触层在垂直方向的投影面积等于所述栅极与所述第二接触层在垂直方向的投影面积。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一接触层和第二接触层之间的距离为2-3μm。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述有源层和所述基板之间用于隔离光线的隔离层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述保护层上的像素电极，所述像素电极通过保护层上的过孔与位于所述保护层下方的漏极电性相连。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～6任一所述的薄膜晶体管。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板。

9.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在基板上形成包括有源层的图形，对所述有源层的设定区域进行离子注入形成有源层上的第一接触层和第二接触层的图形；

通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在形成有所述第一接触层和第二接触层的基板上形成包括刻蚀阻挡层的图形；

通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在所述刻蚀阻挡层上形成与所述第一接触层相连的源极图形，与所述第二接触层相连的漏极图形，以及位于所述源极和漏极之间的栅极图形；

通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在形成有所述栅极、源极和漏极的基板上形成覆盖整个基板的保护层图形。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在基板上形成包括有源层的图形，对所述有源层的设定区域进行离子注入形成有源层上的第一接触层和第二接触层的图形，具体为：

通过一次镀膜工艺在所述基板上形成一层金属氧化物半导体层；

在所述金属氧化物半导体层上涂覆一层光刻胶；

采用半色调或灰色调掩模板对所述光刻胶进行掩膜、曝光和显影；

采用湿法刻蚀形成所述有源层图形；

对有源层上保留的光刻胶进行灰化处理，露出与待形成的第一接触层和第二接触层对应区域的有源层；

对露出的有源层部分进行离子注入形成所述第一接触层和第二接触层的图形；

剥离有源层上的光刻胶。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述有源层之前还包括：

通过一次镀膜工艺在所述基板上形成一层可隔离光线的隔离层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述隔离层具体为：

通过一次镀膜工艺在所述基板上形成一层氧化铝层、非晶硅层或者金属和氧化硅组合形成的膜层。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述对露出的有源层部分进行离子注入形成所述第一接触层和第二接触层的图形，具体为：

对露出的有源层部分进行氢的等离子处理形成所述第一接触层和第二接触层的图形。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述保护层之后还包括：在所述保护层上形成与所述漏极相连的像素电极。