[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

在显示技术领域，氧化物薄膜晶体管（Oxide Thin Film Transistor，Oxide TFT）相比较非晶硅TFT，因其具有较高的载流子迁移率（载流子迁移率约为非晶硅TFT的十倍），以及较高的热学、化学稳定性，成为人们的研究热点。Oxide TFT驱动下的显示装置，能满足大尺寸、高分辨率显示器件的要求，特别是能够满足下一代有源矩阵式有机发光显示器件（Active Matrix Organic Light Emitting Device，AMOLED）的要求，在平板显示领域占据重要的位置。

制作Oxide TFT的要求较高，在保证制作出高性能的Oxide TFT的前提下，简化器件结构和工艺流程是人们一直追求的目标。现有Oxide TFT一般采用顶栅型。参见图1，为现有顶栅型Oxide TFT，包括：基板101、基板101上的有源层102、有源层102上的栅极绝缘层103、栅极绝缘层103上的栅极104、栅极104上的刻蚀阻挡层105、刻蚀阻挡层105上的源漏极层106（包括源极和漏极）、源漏极层106上的钝化保护层107，以及钝化保护层107上与源漏极层106中的漏极相连的像素电极108。

制作图1所示的TFT采用如下6Mask工艺。下述的构图工艺为至少包括掩膜、曝光、显影、光刻和刻蚀过程。

第一、通过第一次构图工艺形成有源层图形102；

第二、通过第二次构图工艺形成栅极绝缘层103和栅极104图形，在此过程中，首先通过湿法刻蚀形成栅极图形104，然后通过干法刻蚀形成栅极绝缘层图形103。

第三、通过第三次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形105。

第四、通过第四次构图工艺形成源漏极层图形106。

第五、通过第五次构图工艺形成钝化保护层图形107，其中钝化保护层107上形成有接触孔，该接触孔用于连接漏极和像素电极108。

第六、通过第六次构图工艺形成像素电极图形108。

因此，现有TFT结构不够简单，且制作高性能Oxide TFT采用6Mask工艺，工艺流程较复杂，且每增加一次构图工艺都可能会引起Oxide TFT的各功能膜层受到污染，降低Oxide TFT的性能。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提供一种结构简单、性能较佳的TFT。

为实现上述目的，本发明实施例提供的薄膜晶体管，包括：

基板；

形成在所述基板上的有源层；

形成在所述有源层上可导电的第一接触层和第二接触层；

形成在所述第一接触层和第二接触层上的刻蚀阻挡层；

形成在所述刻蚀阻挡层上与所述第一接触层相连的源极、与所述第二接触层相连的漏极，以及位于所述源极和漏极之间的栅极；以及

形成在所述源极、漏极和栅极上的保护层。

较佳地，所述第一接触层和第二接触层镜像对称设置。

较佳地，所述栅极与所述第一接触层在垂直方向的投影面积等于所述栅极与所述第二接触层在垂直方向的投影面积。

较佳地，所述第一接触层和第二接触层之间的距离为2-3μm。

较佳地，还包括位于所述有源层和所述基板之间用于隔离光线的隔离层。

较佳地，还包括位于所述保护层上的像素电极，所述像素电极通过保护层上的过孔与位于所述保护层下方的漏极电性相连。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括上述薄膜晶体管。

本发明实施例提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在基板上形成包括有源层的图形，对所述有源层的设定区域进行离子注入形成有源层上的第一接触层和第二接触层的图形；

通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在形成有所述第一接触层和第二接触层的基板上形成包括刻蚀阻挡层的图形；

通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在所述刻蚀阻挡层上形成与所述第一接触层相连的源极图形，与所述第二接触层相连的漏极图形，以及位于所述源极和漏极之间的栅极图形；

通过一次镀膜工艺和一次构图工艺在形成有所述栅极、源极和漏极的基板上形成覆盖整个基板的保护层图形。